1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P THT

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -50А; Idm: -180А; 31Вт; TO251A

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -50А; Idm: -180А; 31Вт; TO251A
Немає в наявності
Код товару: AOI21357
17,61 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3500
Код товару: AOI21357
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 70нКл
Корпус: TO251A
Модель: ESD
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 11,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 31Вт
Струм стока: -50А
Струм стоку в імпульсі: -180А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,8нФ; 630В; C0G (NP0); ±2%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,8нФ; 630В; C0G (NP0); ±2%; SMD

2,57 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 15пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; 0603
Конденсатор: керамічний; 15пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; 0603

0,20 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
15пФ
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 3,01кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 3,01кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Діод: TVS; 600Вт; 33,8÷36,3В; 12,6А; односпрямована; ±3,5%; SMBJ
Діод: TVS; 600Вт; 33,8÷36,3В; 12,6А; односпрямована; ±3,5%; SMBJ

7,60 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±3,5%
Зворотна напруга макс.:
30В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 100ВDC; X7S; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 100ВDC; X7S; ±10%; SMD; 0805

11,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7S
Допуск:
±10%
Ємність:
1мкФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 18пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; 0805
Конденсатор: керамічний; 18пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; 0805

0,36 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
18пФ
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 150пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 150пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD

0,81 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -12А; 45Вт; TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -12А; 45Вт; TO220AB

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12,7нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -90В; -250мА; Idm: -0,8А; 1Вт; TO92
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -90В; -250мА; Idm: -0,8А; 1Вт; TO92

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -400В; -1,1А; 50Вт; IPAK,TO251
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -400В; -1,1А; 50Вт; IPAK,TO251

89,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
IPAK; TO251
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -23А; 140Вт; TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -23А; 140Вт; TO220AB

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
64,7нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -74А; 200Вт; TO262
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -74А; 200Вт; TO262

145,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
TO262
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -500В; -54мА; Idm: -0,25А; 1Вт; TO92
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -500В; -54мА; Idm: -0,25А; 1Вт; TO92

36,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -12А; 79Вт; TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -12А; 79Вт; TO220AB

146,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
TO220AB