Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5А; Idm: -18А; 1Вт; TSMT3

Немає в наявності
Код товару: RQ5E050ATTCL
55,12 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: RQ5E050ATTCL
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 19,4нКл
Корпус: TSMT3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 37мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1Вт
Струм стока: -5А
Струм стоку в імпульсі: -18А
Тип транзистора: P-MOSFET
Конденсатор: поліпропиленовий; DC-Link; 20мкФ; 800В; THT; ±10%
Конденсатор: поліпропиленовий; DC-Link; 20мкФ; 800В; THT; ±10%

446,02 грн

Вид конденсатора:
DC-Link
Допуск:
±10%
Ємність:
20мкФ
Імпульсна міцність:
21В/мкс
Connector: wire-board; socket; male; data; Micro MATE-N-LOK; PIN: 6
Connector: wire-board; socket; male; data; Micro MATE-N-LOK; PIN: 6

84,26 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
6
Недоступний
Діод: TVS; 400Вт; 70,8В; 3,54А; односпрямована; DO219AB,SMF
Діод: TVS; 400Вт; 70,8В; 3,54А; односпрямована; DO219AB,SMF

6,40 грн

Зворотна напруга макс.:
63В
Корпус:
DO219AB; SMF
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
70,8В
Недоступний
Насадка: 6-гранна; насадковий; HEX 4мм; 1/4"
Насадка: 6-гранна; насадковий; HEX 4мм; 1/4"

89,96 грн

Вид ключа:
насадковий
Розмір гнізда:
HEX 4мм
Розмір гнізда тримача - дюйм:
1/4"
Тип насадки:
6-гранна
Потенціометр: осьовий; однообертовий
Потенціометр: осьовий; однообертовий

67,16 грн

Вид потенціометра:
однообертовий
Тип потенціометра:
осьовий
Click board; макетна плата; Комп: BH1721FVC; датчик освітлення
Click board; макетна плата; Комп: BH1721FVC; датчик освітлення

544,22 грн

Вид модуля:
датчик освітлення
Інтерфейс:
I2C
Компоненти:
BH1721FVC
Напруга живлення:
3,3В DC; 5В DC
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2.3mm; GKS-113; CuBe; 2.25N; push-in
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2.3mm; GKS-113; CuBe; 2.25N; push-in

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
2,3мм
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263

409,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
19,7нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD