Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5А; Idm: -20А; 1,5Вт; SOT89-3

Немає в наявності
Код товару: XP202A0003PR-G
62,72 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: XP202A0003PR-G
Виробник: TOREX
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT89-3
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 113мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,5Вт
Струм стока: -5А
Струм стоку в імпульсі: -20А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 23; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 23; THT; 1.5A

141,92 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
2,5мм
Connector: wire-board; male; data; Inom: 8.5A; 600V; PIN: 4; 3mm; 10mΩ
Connector: wire-board; male; data; Inom: 8.5A; 600V; PIN: 4; 3mm; 10mΩ

105,80 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
SMT; паяння
Кількість пін:
4
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,25 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,4пФ
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷2мм; 10÷30ВDC; M12; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷2мм; 10÷30ВDC; M12; IP67

1689,69 грн

Вид голівки:
екранований
Дальність:
0...2мм
Загальна довжина:
45мм
Кількість пін:
3
Недоступний
Резистор: thick film; 27Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 27Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

2,19 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 397Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 397Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

8,81 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,25%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 5,6мкГн; ±20%; V; 17,6x16,9x6,7мм
Реактор: дротяний; SMD; 5,6мкГн; ±20%; V; 17,6x16,9x6,7мм

102,00 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
5,6мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
17,6x16,9x6,7мм
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263

409,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
19,7нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD