Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,1А; Idm: -80А; 2,5Вт; SOT23

Немає в наявності
Код товару: SI2369DS-T1-BE3
9,19 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 6000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI2369DS-T1-BE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 29мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,5Вт
Струм стока: -6,1А
Струм стоку в імпульсі: -80А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,4пФ; 50В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,4пФ; 50В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0402

0,28 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
4,4пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 1,54Ом; SMD; 0508; 750мВт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,54Ом; SMD; 0508; 750мВт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,39 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 114; THT; angled
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 114; THT; angled

202,74 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
18,9мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 3кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; RK73H; 150В
Резистор: thick film; 3кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±1%; RK73H; 150В

0,14 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Реактор: дротяний; SMD; 14,3А; ±15%; 14,1x13,1x7,5мм; H: 7,5мм
Реактор: дротяний; SMD; 14,3А; ±15%; 14,1x13,1x7,5мм; H: 7,5мм

141,92 грн

Висота:
7,5мм
Допуск:
±15%
Матеріал стержня:
порошкове залізо
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805; 330мм

1,10 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Властивості конденсаторів:
гнучкі закінчення
Діаметр роліка макс.:
330мм
Недоступний
Резистор: thick film; 53,6кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; 5000шт.
Резистор: thick film; 53,6кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; 5000шт.

0,05 грн

Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
5000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -500В; -10А; 300Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -500В; -10А; 300Вт; TO263

283,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 45Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 45Вт; TO252

24,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4А; Idm: -10А; 2Вт; SOT23F
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4А; Idm: -10А; 2Вт; SOT23F

7,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23F
Модель:
ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -45В; -0,09А; Idm: -1,6А; 0,33Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -45В; -0,09А; Idm: -1,6А; 0,33Вт

57,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3А; 1,56Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3А; 1,56Вт; SOT23

29,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
9,6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,8А; Idm: -19А; 1,1Вт; MSOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,8А; Idm: -19А; 1,1Вт; MSOP8

106,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,9нКл
Корпус:
MSOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -7А; Idm: -80А; 2,3Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -7А; Idm: -80А; 2,3Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
16,5нКл
Корпус:
PowerDI3333-8