Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,4А; Idm: -46А; 2Вт; SOT23-6

Name: Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,4А; Idm: -46А; 2Вт; SOT23-6
Brand: PanJit Semiconductor
SKU: PJS6403_S1_00001
Price: 18.37 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: PJS6403_S1_00001

18,37 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

PJS6403_S1_00001

Виробник:

PanJit Semiconductor

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

7,8нКл

Корпус:

SOT23-6

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

-30В

Опір в стані провідності:

46мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

2Вт

Струм стока:

-6,4А

Струм стоку в імпульсі:

-46А

Тип транзистора:

P-MOSFET

Переглянуті товари

Недоступний

Бажані

Резистор: thin film; 787Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%

5,89 грн

Вид резистора:
прецизійний

Допуск:
±0,5%

Корпус - дюйм:
0603

Корпус - мм:
1608

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -100В; -50А; 101Вт; DPAK,TO252

94,40 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
DPAK; TO252

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5А; 1,25Вт; TSMT6

16,09 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
TSMT6

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±8В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2,5А; 1Вт; TSMT3

17,80 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
TSMT3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±12В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -40В; -40А; 62Вт; DFN8

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
DFN8

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
-20...5В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -30В; -5,5А; 1,5Вт; TSMT8

9,63 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
TSMT8

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -100мА

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений

Монтаж:
SMD

Струм стока:
-0,1А

Тип транзистора:
P-MOSFET

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD