1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,4А; Idm: -50А; 2,5Вт; SO8

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,4А; Idm: -50А; 2,5Вт; SO8
Немає в наявності
Код товару: SI4435DYTRPBF
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI4435DYTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 20мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,5Вт
Струм стока: -6,4А
Струм стоку в імпульсі: -50А
Технологія: HEXFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.8mm; E-422; steel; 3N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.8mm; E-422; steel; 3N; push-in; 20mΩ

391,54 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
8мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
висока центральна точка; немагнітні; самоочищення
Діаметр наконечника:
1,8мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,3пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,3пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,54 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,3пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 3кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; RN73H; 50В
Резистор: thin film; 3кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; RN73H; 50В

1,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: metal film; 50,5Ом; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V
Резистор: metal film; 50,5Ом; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V

38,01 грн

Виводи:
осьові
Вид резистора:
прецизійний
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 500А; Iвих: 5А; 0,2@max10ВА; 50÷60Гц
Трансформатор: струмовий; Iвх: 500А; Iвих: 5А; 0,2@max10ВА; 50÷60Гц

1640,90 грн

Вихідний струм:
5А
Відповідність стандарту:
BS 3839; EN 60044-1; EN 61869-1
Вхідний струм:
500А
Діаметр внутрішній:
22,5мм
Недоступний
Датчик: відстані; на відбиття; Дальність: 100÷600мм; 12÷28ВDC
Датчик: відстані; на відбиття; Дальність: 100÷600мм; 12÷28ВDC

63434,57 грн

Дальність:
100...600мм
Додаткові функції:
Teach-in
Зовнішні розміри:
20,6x65x50мм
Кількість пін:
5
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 620пФ; 100В; X8G; ±1%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 620пФ; 100В; X8G; ±1%; SMD; 0603

1,27 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±1%
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2,6А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2,6А; 0,5Вт; SuperSOT-3

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
17нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -14А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -14А; 3,8Вт; D2PAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,26А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,26А; 1,8Вт; PG-SOT223

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO263-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO263-3

235,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4А; 1Вт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5,3А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5,3А; 2Вт; SO8

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -10А; 25Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -10А; 25Вт; TO252

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,4нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD