1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -68А; Idm: -195А; 33Вт

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -68А; Idm: -195А; 33Вт
Немає в наявності
Код товару: PJQ4433EP-AU_R2_002A1
50,68 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PJQ4433EP-AU_R2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 54нКл
Корпус: DFN3333-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 8,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 33Вт
Струм стока: -68А
Струм стоку в імпульсі: -195А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 470кОм; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; CRGP
Резистор: thick film; 470кОм; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; CRGP

8,62 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 18А; 56,8Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 18А; 56,8Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; 100А; 555Вт; HU3PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; 100А; 555Вт; HU3PAK

765,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
121нКл
Корпус:
HU3PAK
Недоступний
150Ом; ±1%; 250мВт; -55÷155°C; MiniMELF; 0204; SMD; 50ppm/°C
150Ом; ±1%; 250мВт; -55÷155°C; MiniMELF; 0204; SMD; 50ppm/°C

0,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус:
MiniMELF
Корпус - дюйм:
0204
Конденсатор: поліпропиленовий; Вив: радіальні
Конденсатор: поліпропиленовий; Вив: радіальні

32,69 грн

Виводи:
радіальні
Тип конденсатора:
поліпропиленовий
Недоступний
Кабель: для сервоприводів; 10м; Стандарт: Allen Bradley
Кабель: для сервоприводів; 10м; Стандарт: Allen Bradley

15297,79 грн

Engineering PN:
2090-CPBM7E7-16AF10
Використання:
мобільні з'єднання
Довжина кабелю:
10м
Модель:
заправлений
Недоступний
Резистор: thin film; 110кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 110кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; Idm: 16А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; Idm: 16А; 1Вт; SOT23

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,9нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3А; Idm: -20А; 1,15Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3А; Idm: -20А; 1,15Вт; SO8

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
6,5нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -1,3А; Idm: -8,4А
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -1,3А; Idm: -8,4А

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,8нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2А; Idm: -6А; 800мВт; TUMT3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2А; Idm: -6А; 800мВт; TUMT3

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,5нКл
Корпус:
TUMT3
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -3,2А; Idm: -25А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -3,2А; Idm: -25А

94,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3,4А; Idm: -13,6А; 1,25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3,4А; Idm: -13,6А; 1,25Вт

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5А; Idm: -20А; 2,1Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5А; Idm: -20А; 2,1Вт; SOP8

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,8нКл
Корпус:
SOP8