1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -8,3А; Idm: -50А; 1,3Вт

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -8,3А; Idm: -50А; 1,3Вт
Немає в наявності
Код товару: DMP3026SFDF-7
62,09 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMP3026SFDF-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора: 19,6нКл
Корпус: U-DFN2020-6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 54мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,3Вт
Струм стока: -8,3А
Струм стоку в імпульсі: -50А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Транзистор: NPN; біполярний; 18В; 0,05А; 150мВт; SOT363
Транзистор: NPN; біполярний; 18В; 0,05А; 150мВт; SOT363

8,49 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT363
Монтаж:
SMD
Напруги колектор-емітер:
18В
Провід; ÖLFLEX® CLASSIC 110; 3x0,5мм2; неекранований; 300В,500В
Провід; ÖLFLEX® CLASSIC 110; 3x0,5мм2; неекранований; 300В,500В

53,85 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид матеріалу:
не поширює полум'я
Недоступний
Резистор: thin film; 7,5кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,5%; ERA2AED
Резистор: thin film; 7,5кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,5%; ERA2AED

1,55 грн

Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: TVS; 150В; 2А; двоспрямована; ±5%; DO15; 400Вт; P4KE; Ammo Pack
Діод: TVS; 150В; 2А; двоспрямована; ±5%; DO15; 400Вт; P4KE; Ammo Pack

8,62 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
128В
Корпус:
DO15
Недоступний
Викрутка: стандартний; плоскa; 1,2x4мм; вузький профіль; Morphos
Викрутка: стандартний; плоскa; 1,2x4мм; вузький профіль; Morphos

473,90 грн

Властивості викруток:
захист від скачування; протиковзке покриття рукоятки; трикомпонентна рукоятка; фосфатована голівка
Довжина леза:
150мм
Загальна довжина:
271мм
Матеріал покриття:
хром
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 1,2МГц; Ch: 1; 1,8÷6ВDC; SOT23-5
IC: Oпераційний підсилювач; 1,2МГц; Ch: 1; 1,8÷6ВDC; SOT23-5

32,69 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
-0,15...0,15мВ
Недоступний
Індикатор: LED; увігнутий; білий; 220ВDC; Ø13мм; IP40; проводи
Індикатор: LED; увігнутий; білий; 220ВDC; Ø13мм; IP40; проводи

0,00 грн

Виводи:
проводи
Вид індикатора:
увігнутий
Діаметр діода ДУВ:
10мм
Довжина відводів:
0,3м
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
9нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА

36,75 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
30В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
MicroFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -11А; 2,4Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -11А; 2,4Вт; SO8

86,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -19,1А; 120Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -19,1А; 120Вт; D2PAK

146,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
D2PAK