Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -8,4А; Idm: -50А; 1,3Вт

Немає в наявності
Код товару: DMP3026SFDE-13
9,88 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10000
Крок додавання: 10000
Код товару: DMP3026SFDE-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора: 19,6нКл
Корпус: U-DFN2020-6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 54мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,3Вт
Струм стока: -8,4А
Струм стоку в імпульсі: -50А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: керамічний; 5,6Ом; THT; 1Вт; ±10%; PCF; 300В; -40÷200°C
Резистор: керамічний; 5,6Ом; THT; 1Вт; ±10%; PCF; 300В; -40÷200°C

23,00 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
5,5мм
Довжина:
16,5мм
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: полімерний; low ESR; H: 12мм; 8,2мкФ; 250ВDC; THT; A759
Конденсатор: полімерний; low ESR; H: 12мм; 8,2мкФ; 250ВDC; THT; A759

131,15 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
12мм
Діаметр:
10мм
Допуск:
±20%
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; неекранований; вилка; PUR; ПВХ
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; неекранований; вилка; PUR; ПВХ

511,91 грн

Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
чорний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 56пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 56пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201

3,90 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 3,48Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 3,48Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

20,27 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 400А; Iвих: 1А; Øвнутр: 36мм; 50÷60Гц
Трансформатор: струмовий; Iвх: 400А; Iвих: 1А; Øвнутр: 36мм; 50÷60Гц

2678,03 грн

Вихідний струм:
1А
Відповідність стандарту:
BS 3839; EN 60044-1; EN 61869-1
Вхідний струм:
400А
Діаметр внутрішній:
36мм
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 0÷5м; PNP; DARK-ON,LIGHT-ON
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 0÷5м; PNP; DARK-ON,LIGHT-ON

6179,05 грн

Властивості датчиків:
Рефлектор замовляється окремо.
Дальність:
0...5м
Зовнішні розміри:
11x20x41,6мм
Кількість пін:
3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2,6А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2,6А; 0,5Вт; SuperSOT-3

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
17нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -14А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -14А; 3,8Вт; D2PAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,26А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,26А; 1,8Вт; PG-SOT223

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO263-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO263-3

235,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4А; 1Вт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5,3А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5,3А; 2Вт; SO8

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -10А; 25Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -10А; 25Вт; TO252

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,4нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD