Транзистор: P-MOSFET; польовий; -400В; -0,98А; Idm: -6,24А; 38Вт

Name: Транзистор: P-MOSFET; польовий; -400В; -0,98А; Idm: -6,24А; 38Вт
Brand: ONSEMI
SKU: FQD2P40TM
Price: 78.56 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: FQD2P40TM

78,56 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

FQD2P40TM

Виробник:

ONSEMI

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

13нКл

Корпус:

DPAK

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±30В

Напруга сток-джерело:

-400В

Опір в стані провідності:

6,5Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

38Вт

Струм стока:

-0,98А

Струм стоку в імпульсі:

-6,24А

Тип транзистора:

P-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4,6А; 2,5Вт; SO8

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -11А; 38Вт; DPAK

70,96 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
DPAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -160мА; Idm: -0,8А; 360мВт

36,11 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT23-3

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -10,8А; 69Вт; DPAK

76,03 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
50нКл

Корпус:
DPAK

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,15А; 0,3Вт; PG-SOT-323

12,54 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Заряд затвора:
0,37нКл

Корпус:
PG-SOT-323

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -50А; 150Вт; PG-TO252-5

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TO252-5

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,5А; 400мВт; SC70-6

19,83 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
8,5нКл

Корпус:
SC70-6

Монтаж:
SMD