Транзистор: P-MOSFET; польовий; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IRFR9310TRPBF
109,60 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IRFR9310TRPBF
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 13нКл
Корпус: DPAK; TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -400В
Опір в стані провідності: 7Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 50Вт
Струм стока: -1,1А
Струм стоку в імпульсі: -7,2А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Фільтр: цифровий; низькочастотний; SO8; 0,3МГц
Фільтр: цифровий; низькочастотний; SO8; 0,3МГц

895,84 грн

Вид фільтру:
низькочастотний
Гранична частота:
0,3МГц
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 24В; 45А; односпрямована; ±5%; DO214AB; SZ1.5SMC
Діод: TVS; 1,5кВт; 24В; 45А; односпрямована; ±5%; DO214AB; SZ1.5SMC

29,14 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
20,5В
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 3mm; GKS-113; CuBe; 3N; push-in; 30mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 3mm; GKS-113; CuBe; 3N; push-in; 30mΩ

261,02 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
3мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 250В; X7T; ±10%; THT; 5мм; 5,5x5x4мм
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 250В; X7T; ±10%; THT; 5мм; 5,5x5x4мм

8,55 грн

Діелектрик:
X7T
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1мкФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Діод: зенера; 5Вт; 10В; SMD; 25мкА
Діод: зенера; 5Вт; 10В; SMD; 25мкА

1258,87 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
10В
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
5Вт
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 2; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 2; THT; 1.5A

17,74 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
5мм
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NO; 0÷18мм; 10÷30ВDC; M30; 2м; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NO; 0÷18мм; 10÷30ВDC; M30; 2м; IP67

4083,89 грн

Дальність:
0...18мм
Довжина відводів:
2м
Клас герметичності:
IP67
Конфігурація виходу:
NPN / NO
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263

409,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
19,7нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
163нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD