Транзистор: P-MOSFET; польовий; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IRFR9310PBF
90,60 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IRFR9310PBF
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 13нКл
Корпус: DPAK; TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -400В
Опір в стані провідності: 7Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 50Вт
Струм стока: -1,1А
Струм стоку в імпульсі: -7,2А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 22; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 22; THT; 1.5A

254,69 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 72МГц; QFP100; 512кБRAM,2048кБFLASH
IC: мікроконтролер ARM; 72МГц; QFP100; 512кБRAM,2048кБFLASH

0,00 грн

Вид архітектури:
Cortex M4
Додаткові функції:
РК-контролер
Інтерфейс:
CAN x2; Ethernet; I2C x3; I2S; IrDA; LIN; MII; MMC; RMII; SD; SDIO 3.0; Smart Card; SPI; UART
Кількість входів/виходів:
86
Недоступний
Діод: TVS; 5кВт; 81,9В; 300А; односпрямована; ±5%; SMC; 5.0SMDJ
Діод: TVS; 5кВт; 81,9В; 300А; односпрямована; ±5%; SMC; 5.0SMDJ

116,57 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
70В
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 48,7Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 48,7Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

12,42 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 52; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 52; THT; 1.5A

309,81 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
2,5мм
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 4; SMT; 1.5A; 125V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 4; SMT; 1.5A; 125V

24,08 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
10,25мм
Електричний монтаж:
SMT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,7А; Idm: -10,8А; 1,3Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,7А; Idm: -10,8А; 1,3Вт

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -6А; Idm: -18А; 350мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -6А; Idm: -18А; 350мВт; SOT23

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -80А; Idm: -320А; 92,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -80А; Idm: -320А; 92,6Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -35А; Idm: -140А; 40,3Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -35А; Idm: -140А; 40,3Вт

27,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -26А; Idm: -104А; 20Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -26А; Idm: -104А; 20Вт

24,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
PDFN3030-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -4,5А; Idm: -18А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -4,5А; Idm: -18А; 3,1Вт; SOP8

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: P-MOSFET; -70В; -3,8А; 2,11Вт; PG-TO252-3
Транзистор: P-MOSFET; -70В; -3,8А; 2,11Вт; PG-TO252-3

18,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В