1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -160мА; Idm: -0,8А; 360мВт

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -160мА; Idm: -0,8А; 360мВт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: TP2104K1-G
36,11 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: TP2104K1-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT23-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -40В
Опір в стані провідності: 6Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,36Вт
Стандартне пакування виробника: 3000шт.
Струм стока: -0,16А
Струм стоку в імпульсі: -0,8А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Провід; UNITRONIC® TRAIN; 1x2x0,75мм2; тросик; Cu; зшитий полімер
Провід; UNITRONIC® TRAIN; 1x2x0,75мм2; тросик; Cu; зшитий полімер

741,26 грн

Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; плівка AL-PET; подвійно екранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид матеріалу:
негалогенний; не поширює полум'я
Недоступний
Резистор: thin film; 147кОм; THT; 250мВт; ±0,5%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 147кОм; THT; 250мВт; ±0,5%; Ø2,5x7,2мм; осьові

26,61 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,5%
Недоступний
Резистор: thin film; 42,2кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 42,2кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263

409,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
19,7нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
163нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD