Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -35А; Idm: -70А; 3,6Вт; TO252

Name: Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -35А; Idm: -70А; 3,6Вт; TO252
Brand: DIODES INCORPORATED
SKU: DMPH4023SK3Q-13
Price: 29.78 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: DMPH4023SK3Q-13

29,78 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 2500

Крок додавання: 2500

Код товару:

DMPH4023SK3Q-13

Виробник:

DIODES INCORPORATED

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик 13 дюймів

Використання:

автомобільна галузь

Заряд затвора:

18,7нКл

Корпус:

TO252

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

-40В

Опір в стані провідності:

26мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

3,6Вт

Струм стока:

-35А

Струм стоку в імпульсі:

-70А

Тип транзистора:

P-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2,6А; 0,5Вт; SuperSOT-3

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Властивості напівпровідникових елементів:
logic level

Заряд затвора:
17нКл

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -14А; 3,8Вт; D2PAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
D2PAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,26А; 1,8Вт; PG-SOT223

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-SOT223

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO263-3

235,05 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TO263-3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4А; 1Вт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
11нКл

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5,3А; 2Вт; SO8

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
4,6нКл

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -10А; 25Вт; TO252

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
7,4нКл

Корпус:
TO252

Монтаж:
SMD