Name: Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -35А; Idm: -70А; 3,6Вт; TO252
Brand: DIODES INCORPORATED
SKU: DMPH4023SK3Q-13
Price: 29.78 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -35А; Idm: -70А; 3,6Вт; TO252

Немає в наявності

Код товару: DMPH4023SK3Q-13

29,78 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 2500

Крок додавання: 2500

Код товару:

DMPH4023SK3Q-13

Виробник:

DIODES INCORPORATED

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик 13 дюймів

Використання:

автомобільна галузь

Заряд затвора:

18,7нКл

Корпус:

TO252

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

-40В

Опір в стані провідності:

26мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

3,6Вт

Струм стока:

-35А

Струм стоку в імпульсі:

-70А

Тип транзистора:

P-MOSFET

Бажані

Tip: desoldering; 0.7x1.7mm

923,09 грн

Застосування паяльного обладнання:
для відпайки

Розміри наконечника:
0,7x1,7мм

Супутні товари:
JBC-9920

Тип наконечника:
desoldering

Бажані

Connector: wire-wire; socket; data; Inom: 9A; 600V; PIN: 8; 4.2mm

729,22 грн

Connector family:
data

Електричний монтаж:
компресійний

Кількість пін:
8

Колір:
чорний

Недоступний

Бажані

Реактор: дротяний; SMD; 03015; 8,5нГн; 290мА; R: 0,33Ом; LQW; 180мм

2,76 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм

Допуск:
±0,5nH

Індуктивність:
8,5нГн

Корпус - дюйм:
03015

Недоступний

Бажані

Резистор: thick film; SMD; 1206; 4,7кОм; 250мВт; ±1%; -55÷125°C

0,00 грн

Допуск:
±1%

Зовнішні розміри:
3,1x1,55x0,55мм

Корпус - дюйм:
1206

Корпус - мм:
3216

Недоступний

Бажані

Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 68; SMT; 3A; 250V

741,89 грн

Connector family:
data

Вид роз’єму:
штекерний

Вид упаковки:
розсипний

Електричний монтаж:
SMT

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт

30,73 грн

Вид каналу:
збагачений

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
-20...5В

Напруга сток-джерело:
-60В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт

89,96 грн

Вид каналу:
збагачений

Монтаж:
SMD

Напруга сток-джерело:
-40В

Опір в стані провідності:
4,7мОм

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3

13,11 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
TSMT3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6

15,33 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
TUMT6

Монтаж:
SMD

Напруга сток-джерело:
-30В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
DPAK

Монтаж:
SMD

Напруга сток-джерело:
-60В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
D2PAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
DPAK

Монтаж:
SMD