Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -4,9А; 0,7Вт; U-DFN2020-6

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: DMP4047LFDE-7
51,32 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMP4047LFDE-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус: U-DFN2020-6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -40В
Опір в стані провідності: 50мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,7Вт
Струм стока: -4,9А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 5,62кОм; THT; 250мВт; ±0,5%; Ø2,5x7,2мм
Резистор: thin film; 5,62кОм; THT; 250мВт; ±0,5%; Ø2,5x7,2мм

26,61 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,5%
Недоступний
Резистор: thick film; 330кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 330кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; -55÷155°C

0,95 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Монтаж:
SMD
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "мама"; прямий; 10м; вилка; 250ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "мама"; прямий; 10м; вилка; 250ВDC

1728,33 грн

Використання:
харчова промисловість
Довжина кабелю:
10м
Ізоляційний матеріал проводу:
еластомір TPE-S
Кількість пін:
4
Недоступний
Антена: комунікаційна; Bluetooth,U-NII,WiFi,ZigBee; лінійна; SMD
Антена: комунікаційна; Bluetooth,U-NII,WiFi,ZigBee; лінійна; SMD

41,18 грн

Type of antenna:
communication
Вид антени:
Bluetooth; U-NII; WiFi; ZigBee
Коефіцієнт підсилення антени:
2,7дБі@2,4ГГц...2,5ГГц; 3,7дБі@5,725ГГц...5,875ГГц; 4,3дБі@5,15ГГц...5,725ГГц
Монтаж:
SMD
Недоступний
Жилет; Розмір: L; сірий; утеплені
Жилет; Розмір: L; сірий; утеплені

1362,14 грн

Відповідність стандарту:
CE
Колір:
сірий
Модель:
утеплені
Розмір:
L
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 17; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 17; THT; 1.5A

252,15 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
3,1мм
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 7кБ; 32МГц; MSSP (SPI / I2C); 1,8÷5,5ВDC
IC: мікроконтролер PIC; 7кБ; 32МГц; MSSP (SPI / I2C); 1,8÷5,5ВDC

34,85 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; watchdog
Інтерфейс:
MSSP (SPI / I2C)
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,18А; Idm: -0,7А; 0,25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,18А; Idm: -0,7А; 0,25Вт

10,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5А; Idm: -30А; 1,6Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5А; Idm: -30А; 1,6Вт; SO8

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -8,2А; Idm: -48А; 88Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -8,2А; Idm: -48А; 88Вт

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -7,5А; Idm: -50А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -7,5А; Idm: -50А

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
25,2нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -300мА; Idm: -1А; 500мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -300мА; Idm: -1А; 500мВт

19,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
1,1нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,4А; Idm: -29,6А; 2Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,4А; Idm: -29,6А; 2Вт

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16,5нКл
Корпус:
SOT23-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,6А; Idm: -22,4А; 2Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,6А; Idm: -22,4А; 2Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,2нКл
Корпус:
SOT23