1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -40А; Idm: -350А; 48,3Вт

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -40А; Idm: -350А; 48,3Вт
Немає в наявності
Код товару: DI064P04D1
50,68 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DI064P04D1
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 105нКл
Корпус: DPAK; TO252AA
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -40В
Опір в стані провідності: 7,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 48,3Вт
Струм стока: -40А
Струм стоку в імпульсі: -350А
Тип транзистора: P-MOSFET
Трансформатор: імпульсний; SMD; 13,16x18,67x6,12мм; 325мкГн
Трансформатор: імпульсний; SMD; 13,16x18,67x6,12мм; 325мкГн

582,87 грн

Зовнішні розміри:
13,16x18,67x6,12мм
Індуктивність:
325мкГн
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Датчик: фотоелектричний; передавач; Дальність: 0÷20м; 100мА; ABS
Датчик: фотоелектричний; передавач; Дальність: 0÷20м; 100мА; ABS

1919,67 грн

Вид датчика:
передавач
Властивості датчиків:
регулювання чутливості
Дальність:
0...20м
Кількість пін:
4
Недоступний
Транзистор: N-JFET / N-MOSFET; GaN; 650В; 18А; 68Вт
Транзистор: N-JFET / N-MOSFET; GaN; 650В; 18А; 68Вт

158,39 грн

Заряд затвора:
3,3нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-10В
Напруга сток-джерело:
650В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 4В; X5R; ±20%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 4В; X5R; ±20%; SMD; 0201

0,75 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 42; THR,THT; 3A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 42; THR,THT; 3A

306,64 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
11,9мм
Недоступний
LED; бурштиновий; SMD; PLCC4; 2240÷4700(тип)-7150мкд; 1,7÷2,5ВDC
LED; бурштиновий; SMD; PLCC4; 2240÷4700(тип)-7150мкд; 1,7÷2,5ВDC

0,00 грн

Голівка:
опукла
Довжина хвилі λd:
590нм
Колір діода LED:
бурштиновий
Корпус:
PLCC4
Діод: TVS; 1,5кВт; 33,3÷36,8В; 31А; односпрямована; SMC; SMCJ
Діод: TVS; 1,5кВт; 33,3÷36,8В; 31А; односпрямована; SMC; SMCJ

17,74 грн

Зворотна напруга макс.:
30В
Корпус:
SMC
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
33,3...36,8В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,5А; Idm: -30А; 1,9Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,5А; Idm: -30А; 1,9Вт; SO8

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -820мА; Idm: -4А; 490мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -820мА; Idm: -4А; 490мВт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
1,5нКл
Корпус:
X1-DFN1212-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -35А; Idm: -80А; 52Вт; QFN3X3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -35А; Idm: -80А; 52Вт; QFN3X3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
58нКл
Корпус:
QFN3X3
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -12,6А; Idm: -32А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -12,6А; Idm: -32А

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
28нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,7А; Idm: -10,8А; 1,3Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,7А; Idm: -10,8А; 1,3Вт

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -6А; Idm: -18А; 350мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -6А; Idm: -18А; 350мВт; SOT23

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -80А; Idm: -320А; 92,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -80А; Idm: -320А; 92,6Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO263