1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -6,9А; 5Вт; SC74,TSOP6

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -6,9А; 5Вт; SC74,TSOP6
Немає в наявності
Код товару: SQ3419CEV-T1_GE3
14,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQ3419CEV-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SC74; TSOP6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -40В
Опір в стані провідності: 58мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 5Вт
Струм стока: -6,9А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: metal film; 430кОм; THT; 1Вт; ±5%; Ø2,6x6,8мм; осьові
Резистор: metal film; 430кОм; THT; 1Вт; ±5%; Ø2,6x6,8мм; осьові

2,48 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,6мм
Довжина:
6,8мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Магніт: тримач; з перемикачем; прямокутна; 600x52x200мм
Магніт: тримач; з перемикачем; прямокутна; 600x52x200мм

65351,70 грн

Властивості інструментів:
можливість увімкнення/вимкнення магнітного поля
Модель:
з перемикачем
Розміри:
600x52x200мм
Тип магніта:
тримач
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷8мм; 12÷24ВDC; M18; 2м; IP68
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷8мм; 12÷24ВDC; M18; 2м; IP68

1824,00 грн

Вид голівки:
неекранований
Дальність:
0...8мм
Довжина відводів:
2м
Загальна довжина:
53мм
Недоступний
Резистор: thin film; 162Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 162Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%

65,26 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thin film; 165Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 165Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

2,92 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,25%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 27кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,1%; ERJPC3B
Резистор: thick film; 27кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,1%; ERJPC3B

1,51 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 280кОм; 0805; 125мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 280кОм; 0805; 125мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,04 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
280кОм
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2,6А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2,6А; 0,5Вт; SuperSOT-3

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
17нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -14А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -14А; 3,8Вт; D2PAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,26А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,26А; 1,8Вт; PG-SOT223

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO263-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO263-3

235,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4А; 1Вт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5,3А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5,3А; 2Вт; SO8

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -10А; 25Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -10А; 25Вт; TO252

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,4нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD