1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,1А; Idm: -85А; 1,8Вт; SO8

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,1А; Idm: -85А; 1,8Вт; SO8
Немає в наявності
Код товару: DMPH4015SSSQ-13
30,16 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: DMPH4015SSSQ-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 91нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: -40В
Опір в стані провідності: 15мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,8Вт
Струм стока: -8,1А
Струм стоку в імпульсі: -85А
Тип транзистора: P-MOSFET
Connector: D-Sub; socket; female; data transfer; straight; 3A
Connector: D-Sub; socket; female; data transfer; straight; 3A

306,01 грн

Connector family:
data transfer
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
паяння
Матеріал корпусу:
сталь
Провід; силікон; SiD; 1x2,5мм2; дріт; Cu; чорний; 300В,500В; 100м
Провід; силікон; SiD; 1x2,5мм2; дріт; Cu; чорний; 300В,500В; 100м

100,10 грн

Будова жили:
дріт
Вид жили:
Cu; луджена
Вид кабелю:
SiD
Вид матеріалу:
негалогенний
Недоступний
Оптотріак; 5кВ; симистор; SMD6; Ch: 1; MOC308_; ролик,cтрічка
Оптотріак; 5кВ; симистор; SMD6; Ch: 1; MOC308_; ролик,cтрічка

0,00 грн

Вид виходу:
симистор
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Відповідність стандарту:
VDE
Зворотна напруга макс.:
6В
Недоступний
Резистор: thick film; 5,49Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 5,49Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

20,27 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Pliers: cutting; side; ESD; blackened tool; H: 0.8mm; 110mm
Pliers: cutting; side; ESD; blackened tool; H: 0.8mm; 110mm

2105,93 грн

Type of pliers:
для різання
Вид щипці:
бічне
Вимір D:
6мм
Властивості кусачок/ножів:
воронований інструмент
Діод: випрямний таблетковий; 3,2кВ; 2,11кА; Ø74,5/Ø47мм
Діод: випрямний таблетковий; 3,2кВ; 2,11кА; Ø74,5/Ø47мм

16263,96 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
явище лавинного пробою
Зворотна напруга макс.:
3,2кВ
Монтаж:
Press-Pack
Поріг напруги спрацьовування:
0,89В
Недоступний
M12; PIN: 3; штекерний,прямий,гніздовий; неекранований,прямий
M12; PIN: 3; штекерний,прямий,гніздовий; неекранований,прямий

2214,27 грн

Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт; DFN6
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт; DFN6

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DFN6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -3,2А
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -3,2А

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Напруга сток-джерело:
-20В
Опір в стані провідності:
93мОм
Струм стока:
-3,2А
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -1,5А; 500мВт; SOT23-3
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -1,5А; 500мВт; SOT23-3

8,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; -4,4А
Транзистор: P-MOSFET; -4,4А

16,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Струм стока:
-4,4А
Тип транзистора:
P-MOSFET
Транзистор: P-MOSFET; -6А; SOT23F
Транзистор: P-MOSFET; -6А; SOT23F

6,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23F
Монтаж:
SMD
Струм стока:
-6А
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD