Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -95А; Idm: -380А; 108,7Вт

Немає в наявності
Код товару: WMO90P04TS
46,88 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMO90P04TS
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 128,9нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -40В
Опір в стані провідності: 6,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 108,7Вт
Струм стока: -95А
Струм стоку в імпульсі: -380А
Тип транзистора: P-MOSFET
Вентилятор: DC; 135x135x38мм; blower; 48ВDC; 55,055м3/г; 55дБА
Вентилятор: DC; 135x135x38мм; blower; 48ВDC; 55,055м3/г; 55дБА

4049,68 грн

Виводи:
проводи x2
Вид вентилятора:
blower
Вид підшипника:
кульковий
Довжина відводів:
135мм
Недоступний
Діод: TVS; 0,4кВт; 6,45В; 38А; односпрямована; DO41; Ch: 1; -65÷150°C
Діод: TVS; 0,4кВт; 6,45В; 38А; односпрямована; DO41; Ch: 1; -65÷150°C

110,87 грн

Зворотна напруга макс.:
5,8В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO41
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 18пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 18пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201

0,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 0.64mm; GKS-100; CuBe; 3N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 0.64mm; GKS-100; CuBe; 3N; push-in; 20mΩ

345,29 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
6,35мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
0,64мм
820пФ; THT; ±5%; 8,712мм; Вив: радіальні; -55÷125°C
820пФ; THT; ±5%; 8,712мм; Вив: радіальні; -55÷125°C

191,33 грн

Виводи:
радіальні
Допуск:
±5%
Ємність:
820пФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 56,7÷62,7В; 18,2А; двоспрямована; ±5%; SMC; SMCJ
Діод: TVS; 1,5кВт; 56,7÷62,7В; 18,2А; двоспрямована; ±5%; SMC; SMCJ

22,17 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
51В
Корпус:
SMC
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 12; 10м; вилка; 30ВDC; 30ВAC; 2А; 763; PUR
Кабель: до датчиків; PIN: 12; 10м; вилка; 30ВDC; 30ВAC; 2А; 763; PUR

3094,91 грн

Довжина кабелю:
10м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
12
Клас герметичності:
IP69K
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-DSO-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; 0,36Вт; SOT23

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,3нКл
Корпус:
SOT23