1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -9А; Idm: -244А; 3,4Вт

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -9А; Idm: -244А; 3,4Вт
Немає в наявності
Код товару: DMP4013SPS-13
28,38 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: DMP4013SPS-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора: 67нКл
Корпус: PowerDI5060-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -40В
Опір в стані провідності: 23мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,4Вт
Струм стока: -9А
Струм стоку в імпульсі: -244А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Connector: wire-board; socket; male; data; CLIK-Mate; PIN: 4; 1.5mm
Connector: wire-board; socket; male; data; CLIK-Mate; PIN: 4; 1.5mm

21,79 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
4
Недоступний
Кристал; 24МГц; 18пФ; ±30ppm; ±3ppm/рік; 3,2x2,5x0,7мм; -40÷85°C
Кристал; 24МГц; 18пФ; ±30ppm; ±3ppm/рік; 3,2x2,5x0,7мм; -40÷85°C

3,61 грн

Довготривала стабільність:
±3ppm/рік
Ємність:
18пФ
Робоча температура:
-40...85°C
Розміри:
3,2x2,5x0,7мм
Недоступний
Test probe: RF; 3A; Ø: 1.5mm; HFS-810; CuBe; 8N; Plating: gold-plated
Test probe: RF; 3A; Ø: 1.5mm; HFS-810; CuBe; 8N; Plating: gold-plated

15434,64 грн

Type of test probe:
RF
Вигин пружини макс.:
3,7мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
максимальний струм зовнішньої оболонки: 10 А
Діаметр коміра:
6,1мм
Недоступний
З`єднання: на рейку; 32А; 1кВ; push-in; вемид; 26AWG÷12AWG; W: 6,1мм
З`єднання: на рейку; 32А; 1кВ; push-in; вемид; 26AWG÷12AWG; W: 6,1мм

60,19 грн

Довжина:
39,5мм
Електричний монтаж:
push-in
Кількість клем:
2
Клас горючості:
UL94V-0
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,5А; Idm: -30А; 1,9Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,5А; Idm: -30А; 1,9Вт; SO8

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -820мА; Idm: -4А; 490мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -820мА; Idm: -4А; 490мВт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора:
1,5нКл
Корпус:
X1-DFN1212-3
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -12,6А; Idm: -32А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -12,6А; Idm: -32А

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
28нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,7А; Idm: -10,8А; 1,3Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,7А; Idm: -10,8А; 1,3Вт

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -6А; Idm: -18А; 350мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -6А; Idm: -18А; 350мВт; SOT23

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -80А; Idm: -320А; 92,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -80А; Idm: -320А; 92,6Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -35А; Idm: -140А; 40,3Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -35А; Idm: -140А; 40,3Вт

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
TO252