1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; Idm: -0,52А; 0,225Вт

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; Idm: -0,52А; 0,225Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BSS84-TP
10,41 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BSS84-TP
Виробник: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -50В
Опір в стані провідності: 10Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,225Вт
Струм стока: -0,13А
Струм стоку в імпульсі: -0,52А
Тип транзистора: P-MOSFET
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування,модульний; 36Вт
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування,модульний; 36Вт

565,13 грн

Вид блоку живлення:
для вбудовування; модульний
Вид корпусу:
239A
Вихідна напруга:
15В DC
Вихідний струм:
2,4А
Недоступний
Резистор: thin film; 100кОм; SMD; 0805; 100мВт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 100кОм; SMD; 0805; 100мВт; ±0,1%; -55÷155°C

5,58 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 22Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 22Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C

0,39 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Монтаж:
SMD
Реактор: дротяний; SMD; 110нГн; ±5%; 7,3x6,6x4,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 110нГн; ±5%; 7,3x6,6x4,8мм

64,88 грн

Допуск:
±5%
Індуктивність:
0,11мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
7,3x6,6x4,8мм
Конденсатор: гибридний; ±20%; 35ВDC; SMD; 330мкФ; -55÷135°C; Ø: 10мм
Конденсатор: гибридний; ±20%; 35ВDC; SMD; 330мкФ; -55÷135°C; Ø: 10мм

24,71 грн

Висота:
12,5мм
Діаметр:
10мм
Допуск:
±20%
Ємність:
330мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 6,2Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HP; 200В
Резистор: thick film; 6,2Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HP; 200В

0,78 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
IC: rheostat; I2C; 50кОм; 8бит; TSSOP14; SMD; Ch: 4; туба; 2,7÷5,5В
IC: rheostat; I2C; 50кОм; 8бит; TSSOP14; SMD; Ch: 4; туба; 2,7÷5,5В

126,08 грн

Max DNL:
±0,5LSB
Max INL:
±1LSB
Вид пам’яті:
енергонезалежний
Вид упаковки:
туба
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-DSO-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD