Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; Idm: -1,2А; 0,3Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BSS84-7-F
5,70 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BSS84-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -50В
Опір в стані провідності: 10Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,3Вт
Струм стока: -0,13А
Струм стоку в імпульсі: -1,2А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Датчик: лазерний; Дальність: 25÷300мм; PNP; DARK-ON,LIGHT-ON; PBT
Датчик: лазерний; Дальність: 25÷300мм; PNP; DARK-ON,LIGHT-ON; PBT

12130,02 грн

Важлива інформація:
Увага! Лазерне випромінювання! Дотримуйтесь правил безпеки. Не дивитися прямо в джерело лазерного світла.
Дальність:
25...300мм
Довжина відводів:
2м
Зовнішні розміри:
10,8x20x31мм
Недоступний
Резистор: thick film; 16,9Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 16,9Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

0,31 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 492В; 4,3А; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1; SMDJ
Діод: TVS; 3кВт; 492В; 4,3А; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1; SMDJ

48,15 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
440В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Недоступний
Резистор: thick film; 22кОм; 0201; 50мВт; ±1%; AF; -55÷155°C
Резистор: thick film; 22кОм; 0201; 50мВт; ±1%; AF; -55÷155°C

0,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
0,6x0,3мм
Корпус - дюйм:
0201
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 56; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 56; THT; 3A; 250V

340,22 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 3mm; GKS-113; CuBe; 1N; push-in; 30mΩ
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 3mm; GKS-113; CuBe; 1N; push-in; 30mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
3мм
Транзистор: P-MOSFET; -100В; -50А; 101Вт; DPAK,TO252
Транзистор: P-MOSFET; -100В; -50А; 101Вт; DPAK,TO252

94,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK; TO252
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5А; 1,25Вт; TSMT6
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5А; 1,25Вт; TSMT6

16,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2,5А; 1Вт; TSMT3
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2,5А; 1Вт; TSMT3

17,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -40А; 62Вт; DFN8
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -40А; 62Вт; DFN8

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -5,5А; 1,5Вт; TSMT8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -5,5А; 1,5Вт; TSMT8

9,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -100мА
Транзистор: P-MOSFET; -100мА

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Струм стока:
-0,1А
Тип транзистора:
P-MOSFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD