Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,14А; 0,36Вт; PG-SOT23

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BSS84PH6327XTSA2
14,70 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5
Код товару: BSS84PH6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: ролик
Заряд затвора: 0,37нКл
Корпус: PG-SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Опір в стані провідності: 8Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,36Вт
Струм стока: -0,14А
Технологія: SIPMOS™
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Датчик для регулювальників рівня; Різьба: 3/8"; 500мм
Датчик для регулювальників рівня; Різьба: 3/8"; 500мм

4413,97 грн

Властивості датчиків:
однополюсний щуп
Довжина:
0,5м
Комплектуючі систем управління:
датчик для регулювальників рівня
Матеріал корпусу:
нержавіюча сталь
Ізоляційний вимикач; Полюси: 3; для вбудовування; 63А; -25÷40°C
Ізоляційний вимикач; Полюси: 3; для вбудовування; 63А; -25÷40°C

9666,13 грн

Властивості перемикачів:
блокується навісним замком
Кількість полюсів:
3
Кількість фіксованих позицій:
2
Клас герметичності:
IP65 спереду
Недоступний
Connector: PCB to PCB; socket; female; data; PIN: 70; DF40; vertical
Connector: PCB to PCB; socket; female; data; PIN: 70; DF40; vertical

129,88 грн

Connector family:
data
Engineering PN:
CL0684-4138-2-51
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
SMT
Роз’єм: провід-провід; гніздо; штекерний,гніздовий; Iном: 4А
Роз’єм: провід-провід; гніздо; штекерний,гніздовий; Iном: 4А

322,48 грн

Вид роз’єму:
гніздовий; штекерний
Електричний монтаж:
компресійний
Кількість пін:
2
Колір:
чорний
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 56; THR,THT; 3A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 56; THR,THT; 3A

169,16 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
11,9мм
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263

409,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
19,7нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
163нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD