Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,45А; 2Вт; SOT223

Name: Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,45А; 2Вт; SOT223
Brand: DIODES INCORPORATED
SKU: ZVP2106GTA
Price: 79.19 UAH
Availability: InStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Термін постачання: 3 тижні

Код товару: ZVP2106GTA

79,19 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

ZVP2106GTA

Виробник:

DIODES INCORPORATED

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Корпус:

SOT223

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

-60В

Опір в стані провідності:

5Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

2Вт

Струм стока:

-0,45А

Тип транзистора:

P-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
D2PAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
DPAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-DSO-8

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±12В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-SOT23

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TO252-3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
6,7нКл

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; 0,36Вт; SOT23

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
1,3нКл

Корпус:
SOT23