1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,1А; Idm: -14А; 3,1Вт

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,1А; Idm: -14А; 3,1Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IRFL9014TRPBF
76,66 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IRFL9014TRPBF
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 12нКл
Корпус: SOT223
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Опір в стані провідності: 0,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,1Вт
Струм стока: -1,1А
Струм стоку в імпульсі: -14А
Тип транзистора: P-MOSFET
Резистор: thin film; 2,15кОм; 0603; 100мВт; -55÷150°C; 25ppm/°C
Резистор: thin film; 2,15кОм; 0603; 100мВт; -55÷150°C; 25ppm/°C

36,62 грн

Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Модель:
ESD
Опір:
2,15кОм
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC

2243,41 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідна напруга 2:
-5В DC
Вихідний струм:
0,8А
Вхідна напруга:
36...75В DC
Резистор: thin film; 2,2кОм; 0603; 100мВт; ±0,5%; RT; -55÷155°C
Резистор: thin film; 2,2кОм; 0603; 100мВт; ±0,5%; RT; -55÷155°C

0,41 грн

Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
2,2кОм
Резистор: thick film; 51Ом; 0603; 100мВт; ±5%; ERJ3GEY; 200ppm/°C
Резистор: thick film; 51Ом; 0603; 100мВт; ±5%; ERJ3GEY; 200ppm/°C

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 18А; 500Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 18А; 500Вт; ISOPLUS247™

1407,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Недоступний
Резистор: thin film; 1,4кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 1,4кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Конденсатор: поліпропиленовий; low ESR; 2,2мкФ; 400ВDC; 250ВAC
Конденсатор: поліпропиленовий; low ESR; 2,2мкФ; 400ВDC; 250ВAC

203,37 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Вид матеріалу:
що самогаситься
Властивості конденсаторів:
низький коефіцієнт втрат
Допуск:
±10%
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263

409,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
19,7нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD