1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -30А; 125Вт; PG-TO252-3

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -30А; 125Вт; PG-TO252-3
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SPD30P06PGBTMA1
91,23 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SPD30P06PGBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-TO252-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Опір в стані провідності: 75мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: -30А
Технологія: SIPMOS™
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 1,8нГн; 700мА; R: 0,045Ом; ±5%; LQW
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 1,8нГн; 700мА; R: 0,045Ом; ±5%; LQW

3,62 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±5%
Індуктивність:
1,8нГн
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 309кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 309кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 16; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 16; THT; 1.5A

126,08 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
2,5мм
Недоступний
Резистор: metal oxide; 22кОм; THT; 1Вт; ±5%; 500В; Ø2,5x6,5мм
Резистор: metal oxide; 22кОм; THT; 1Вт; ±5%; 500В; Ø2,5x6,5мм

1,74 грн

Допуск:
±5%
Зовнішні розміри:
Ø2,5x6,5мм
Кількість в наборі/упаковці:
2000шт.
Монтаж:
THT
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 4,7мкГн; 500мА; R: 0,4Ом; ±10%; LQH
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 4,7мкГн; 500мА; R: 0,4Ом; ±10%; LQH

8,43 грн

Високосортність:
30
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±10%
Індуктивність:
4,7мкГн
Недоступний
Модуль: тиристорний; пушпульна x2; 1,6кВ; 101А; T63; SEMITOP3
Модуль: тиристорний; пушпульна x2; 1,6кВ; 101А; T63; SEMITOP3

6414,73 грн

Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
1,6кВ
Корпус:
SEMITOP3
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD

0,12 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,7А; 800мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,7А; 800мВт; SOT23

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -230мА; Idm: -0,92А
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -230мА; Idm: -0,92А

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -35А; Idm: -80А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -35А; Idm: -80А

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
126нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -45А; Idm: -328А; 110Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -45А; Idm: -328А; 110Вт

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
62,1нКл
Корпус:
DPAK; TO252AA
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -900мА; Idm: -3,6А; 1,25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -900мА; Idm: -3,6А; 1,25Вт

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -130мА; Idm: -0,52А; 225мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -130мА; Idm: -0,52А; 225мВт

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -35А; PDFN5060-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -35А; PDFN5060-8

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
PDFN5060-8
Монтаж:
SMD