1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P THT

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -320мА; Idm: -3,5А; 1Вт; TO92

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -320мА; Idm: -3,5А; 1Вт; TO92
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: TP0606N3-G
54,49 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: TP0606N3-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: розсипний
Корпус: TO92
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Опір в стані провідності: 3,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1Вт
Стандартне пакування виробника: 1000шт.
Струм стока: -320мА
Струм стоку в імпульсі: -3,5А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 25; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 25; SMT; 3A; 250V

149,52 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Висота:
11,6мм
Недоступний
Резистор: metal film; 10,4кОм; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,25%
Резистор: metal film; 10,4кОм; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,25%

21,10 грн

Виводи:
осьові
Вид резистора:
прецизійний
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Недоступний
Резистор: thin film; 1,6кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 1,6кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Резистор: thick film; 110кОм; 2512; 1Вт; ±1%; RC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 110кОм; 2512; 1Вт; ±1%; RC; -55÷155°C

1,67 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Опір:
110кОм
NPT3/8"; IP54; PVDF; natural; HSK-K-PVDF; Cable gland: cable
NPT3/8"; IP54; PVDF; natural; HSK-K-PVDF; Cable gland: cable

195,77 грн

Вид різьблення:
дюймове
Довжина гвинта:
15мм
Зовнішній діаметр проводу:
2...6мм
Клас герметичності:
IP54
Недоступний
Резистор: thick film; 19,6Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 19,6Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 800В; 1А; 35нс; DO214AC,SMA; Ufmax: 2,2В
Діод: випрямний; SMD; 800В; 1А; 35нс; DO214AC,SMA; Ufmax: 2,2В

8,43 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
DO214AC; SMA
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,7А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,7А; 35Вт; TO220FP

145,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
29нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO220-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO220-3

132,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -100В; -195А; 390Вт
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -100В; -195А; 390Вт

1494,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
740нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -7,5А; Idm: -48А; 150Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -7,5А; Idm: -48А; 150Вт

185,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -42А; Idm: -168А; 36,7Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -42А; Idm: -168А; 36,7Вт

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -195А; 294Вт; TO220
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -195А; 294Вт; TO220

98,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
186нКл
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15А; 180Вт; TO247AC
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15А; 180Вт; TO247AC

212,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
61нКл
Корпус:
TO247AC