1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт
Немає в наявності
Код товару: SIHFR9024TR-GE3
65,89 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHFR9024TR-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 19нКл
Корпус: DPAK; TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Опір в стані провідності: 0,28Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 42Вт
Струм стока: -5,6А
Струм стоку в імпульсі: -35А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 2,67кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм
Резистор: thin film; 2,67кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм

44,98 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 6,4В; SMD; DO213AA; 2мкА
Діод: зенера; 500мВт; 6,4В; SMD; DO213AA; 2мкА

343,39 грн

Зенерівська напруга:
6,4В
Корпус:
DO213AA
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,5Вт
Недоступний
Резистор: thin film; 16,2кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 16,2кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
IC: рація Ethernet; full duplex,GMII,half duplex,MDI-X; VQFN72
IC: рація Ethernet; full duplex,GMII,half duplex,MDI-X; VQFN72

331,35 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
MAC; PHY
Інтерфейс:
full duplex; GMII; half duplex; MDI-X
Категорія Ethernet:
10/100/1000Base-T
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 33,3В; 62А; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1; 5нФ
Діод: TVS; 3кВт; 33,3В; 62А; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1; 5нФ

21,41 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Ємність:
5нФ
Зворотна напруга макс.:
30В
Кількість каналів:
1
Недоступний
Модуль автоматики: термометр; температура; 0÷100°C; Ø: 10мм
Модуль автоматики: термометр; температура; 0÷100°C; Ø: 10мм

1854,41 грн

Використання:
гази; рідини
Властивості датчиків:
занурювальна трубка під кутом 90°
Діаметр стержня:
10мм
Діапазон контрольованої величини:
0...100°C
Недоступний
Діод: зенера; 1,25Вт; 3,9В; SMD; DO213AB,MELF glass; 25мкА
Діод: зенера; 1,25Вт; 3,9В; SMD; DO213AB,MELF glass; 25мкА

219,84 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
3,9В
Корпус:
DO213AB; MELF glass
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-DSO-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD