1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P THT

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -640мА; Idm: -4А; 740мВт; TO92

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -640мА; Idm: -4А; 740мВт; TO92
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: VP2206N3-G
124,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: VP2206N3-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: розсипний
Корпус: TO92
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Опір в стані провідності: 0,9Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,74Вт
Стандартне пакування виробника: 1000шт.
Струм стока: -640мА
Струм стоку в імпульсі: -4А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Корпус для з’єднувачів: D-Sub; D-Sub 25pin,D-Sub HD 44pin; M2,5
Корпус для з’єднувачів: D-Sub; D-Sub 25pin,D-Sub HD 44pin; M2,5

556,26 грн

Застосування роз’ємів:
D-Sub 25pin; D-Sub HD 44pin
Матеріал корпусу:
метал
Модель роз’єму:
екранований
Просторова орієнтація:
прямий
Недоступний
Резистор: thick film; 220Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; HP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 220Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; HP; 200В; -55÷155°C

2,59 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷1,5мм; 10÷30ВDC; M8; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷1,5мм; 10÷30ВDC; M8; IP67

909,15 грн

Вид голівки:
екранований
Дальність:
0...1,5мм
Загальна довжина:
40мм
Кількість пін:
3
Індикатор: LED; плоска; зелений; Ø10мм; QS; проводи; 200мм; пластик
Індикатор: LED; плоска; зелений; Ø10мм; QS; проводи; 200мм; пластик

164,09 грн

Виводи:
проводи
Вид індикатора:
плоска
Довжина відводів:
0,2м
Колір індикатора:
зелений
Недоступний
Резистор: thick film; 332Ом; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 332Ом; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 402Ом; SMD; 2512; 3Вт; ±1%; SP; 250В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 402Ом; SMD; 2512; 3Вт; ±1%; SP; 250В; -55÷155°C

12,04 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 0402; ±1%; 50В; 0,063мм
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 0402; ±1%; 50В; 0,063мм

0,09 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -4А; Idm: -26А; 74Вт; TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -4А; Idm: -26А; 74Вт; TO220AB

100,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
29нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -8,5А; 42Вт; TO220FP
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -8,5А; 42Вт; TO220FP

79,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -50А; 300Вт; TO247-3; 180нс
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -50А; 300Вт; TO247-3; 180нс

629,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 45Вт; TO251A
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 45Вт; TO251A

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO251A
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -25А; 100Вт; TO220
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -25А; 100Вт; TO220

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -28А; 89Вт; IPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -28А; 89Вт; IPAK

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
IPAK
Монтаж:
THT
Напруга сток-джерело:
-55В