Транзистор: P-MOSFET; польовий; -80В; -175А; 348Вт; PowerPAK® SO8

Немає в наявності
Код товару: SQJQ181EL-T1_GE3
101,37 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: SQJQ181EL-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -80В
Опір в стані провідності: 5,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 348Вт
Струм стока: -175А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Осердя: феритовий; ETD; N27; 2550нГн; 11500мм3; 125мм2
Осердя: феритовий; ETD; N27; 2550нГн; 11500мм3; 125мм2

88,06 грн

Ефективний об'єм осердя (Ve):
11500мм3
Ефективний переріз осердя (Ae):
125мм2
Коефіцієнт індуктивності AL:
2550нГн
Магнітна проникність:
1500
Резистор: дротяний; 13Ом; цементний; THT; 10Вт; ±5%; Ш0,8x35мм
Резистор: дротяний; 13Ом; цементний; THT; 10Вт; ±5%; Ш0,8x35мм

11,09 грн

Вид резистора:
цементний
Допуск:
±5%
Монтаж:
THT
Опір:
13Ом
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 82,5кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 82,5кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
330мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -2,7А; Idm: -24А; 1,2Вт
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -2,7А; Idm: -24А; 1,2Вт

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: цифровий; інвертор; SMD; TVSOP20; -40÷85°C; котушка,cтрічка
IC: цифровий; інвертор; SMD; TVSOP20; -40÷85°C; котушка,cтрічка

19,01 грн

Вид об'єднаної схеми:
інвертор
Вид упаковки:
cтрічка; котушка
Корпус:
TVSOP20
Монтаж:
SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 120пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 120пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD

7,60 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Ємність:
0,12нФ
LED; теплий білий; SMD; Корп.(мм): 2012; 350÷450мкд; 120°; 20мА
LED; теплий білий; SMD; Корп.(мм): 2012; 350÷450мкд; 120°; 20мА

8,36 грн

Колір діода LED:
теплий білий
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Кут світіння:
120°
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт

30,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт

89,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-40В
Опір в стані провідності:
4,7мОм
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3

13,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6

15,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TUMT6
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-30В
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD