Транзистор: P-MOSFET; польовий; -80В; -44А; 119Вт

Немає в наявності
Код товару: SQS181ELNW-T1_GE3
30,09 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQS181ELNW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -80В
Опір в стані провідності: 31мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 119Вт
Струм стока: -44А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NC; 0÷20мм; 10÷36ВDC; M18; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NC; 0÷20мм; 10÷36ВDC; M18; IP67

2940,05 грн

Вид голівки:
неекранований
Дальність:
0...20мм
Загальна довжина:
84мм
Кількість пін:
4
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603

2,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 500В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 500В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 1206

11,66 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 36МГц; LQFP48; 2÷3,6ВDC; STM32F1
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 36МГц; LQFP48; 2÷3,6ВDC; STM32F1

326,25 грн

Вид архітектури:
Cortex M3
Інтерфейс:
I2C x2; SPI x2
Кількість входів/виходів:
37
Кількість таймерів 16бит:
3
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,1пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,1пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

1,62 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1,1пФ
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт

144,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8

63,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263

409,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
19,7нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD