1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -8В; -1,1А; 0,29Вт; SC70,SOT323

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -8В; -1,1А; 0,29Вт; SC70,SOT323
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: NTS2101PT1G
26,61 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NTS2101PT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SC70; SOT323
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -8В
Опір в стані провідності: 0,1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,29Вт
Струм стока: -1,1А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1,2пФ
Недоступний
Перемикач: DIP-SWITCH; Кількість секцій: 10; OFF-ON; 0,025A/24ВDC
Перемикач: DIP-SWITCH; Кількість секцій: 10; OFF-ON; 0,025A/24ВDC

62,09 грн

Виводи:
Gull Wing; для друку
Вид упаковки:
ролик
Властивості перемикачів:
повзунок плоский
Кількість всіх позицій:
2/10
Недоступний
Резистор: thin film; 475Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 475Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В

0,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 500В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 500В; X7R; ±10%; SMD; 1206

6,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Вид упаковки:
ролик 7 дюймів
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Транзистор: NPN; біполярний; 45В; 1А; 1,5Вт; SOT223
Транзистор: NPN; біполярний; 45В; 1А; 1,5Вт; SOT223

15,84 грн

Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Напруги колектор-емітер:
45В
Поляризація:
біполярний
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,8пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,8пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,27 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,8пФ
Корпус - дюйм:
0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

8,24 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263

409,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
19,7нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
163нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD