Транзистор: P-MOSFET + Schottky; польовий; -20В; -1,5А; Idm: -6А

Немає в наявності
Код товару: QS5U26TR
25,34 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: QS5U26TR
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 4,2нКл
Корпус: TSOT25
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 0,34Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,25Вт
Струм стока: -1,5А
Струм стоку в імпульсі: -6А
Тип транзистора: P-MOSFET + Schottky
Модуль автоматики: switch Ethernet; некерований; 9÷30ВDC; RJ45
Модуль автоматики: switch Ethernet; некерований; 9÷30ВDC; RJ45

2593,14 грн

Вид модуля:
некерований
Зовнішні розміри:
100x30x85мм
Кількість портів:
5
Клас герметичності:
IP20
Недоступний
Лабораторний генератор: функціональний, довільний; 100МГц; Ch: 2
Лабораторний генератор: функціональний, довільний; 100МГц; Ch: 2

51872,21 грн

Вертикальна роздільність:
16бит
Вид вжитого дисплея:
LCD 8"; екран сенсорний; кольоровий
Вид модуляції:
AM; FM; FSK; MSK; PSK; PWM; QAM; SUM
Довжина запису даних в пам'яті:
10Мвыб/канал
Недоступний
Резистор: thin film; 10Ом; SMD; 300мВт; ±1%; 150В; Ø1,1x2,2мм
Резистор: thin film; 10Ом; SMD; 300мВт; ±1%; 150В; Ø1,1x2,2мм

1,75 грн

Діаметр:
1,1мм
Довжина:
2,2мм
Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
3000шт.
Недоступний
IC: мікроконтролер dsPIC; 64кБ; 8кБSRAM; TQFP48; 3÷3,6ВDC; DSPIC
IC: мікроконтролер dsPIC; 64кБ; 8кБSRAM; TQFP48; 3÷3,6ВDC; DSPIC

103,90 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
CLC x4; CRC; DMAC x4; PWM; watchdog
Інтерфейс:
CAN-FD; I2C x3; PWM; QEI x2; SENT x2; SPI x3; UART x3
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 34; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 34; THT; 3A; 100V

387,73 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 360Ом; SMD; 1206; 660мВт; ±1%; ERJP08F
Резистор: thick film; 360Ом; SMD; 1206; 660мВт; ±1%; ERJP08F

2,05 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
IC: компаратор; low-power; Cmp: 2; 500нс; 2÷36В; SMT; miniSO8
IC: компаратор; low-power; Cmp: 2; 500нс; 2÷36В; SMT; miniSO8

18,37 грн

Вид виходу:
відкритий колектор
Вид компаратора:
low-power
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вхідна напруга зміщення нуля:
15мВ
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-DSO-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD