Транзистор: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; польовий; -20В

Немає в наявності
Код товару: SIA811ADJ-T1-GE3
16,03 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIA811ADJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 13нКл
Корпус: PowerPAK® SC70
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 0,205Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 6,8Вт
Струм стока: -4,5А
Струм стоку в імпульсі: -8А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET + Schottky
Адаптер; банан 4мм гніздо,гніздо BNC; Модель: ізольований; 2шт.
Адаптер; банан 4мм гніздо,гніздо BNC; Модель: ізольований; 2шт.

3756,97 грн

Кількість в наборі/упаковці:
2шт.
Конструкція кабелю/переходу:
банан 4мм гніздо; гніздо BNC
Модель роз’єму:
ізольований
Тип вимірювальних аксесуарів:
адаптер
Резистор: дротяний; 3Ом; з радіатором; пригвинчуваний; 250Вт; ±1%
Резистор: дротяний; 3Ом; з радіатором; пригвинчуваний; 250Вт; ±1%

1090,98 грн

Виводи:
гвинти М8
Вид резистора:
з радіатором
Використання:
гальмівний резистор
Допуск:
±1%
Недоступний
Провід; EcoGen®; EcoCable Mini®; 6x2x24AWG; MPPE; темно-сірий
Провід; EcoGen®; EcoCable Mini®; 6x2x24AWG; MPPE; темно-сірий

40911,10 грн

Bластивості проводів:
жили скручені попарно
Будова екрану:
пари екрановані фольгою AL-PET; плівка AL-PET; подвійно екранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Недоступний
Вентилятор: DC; 75x75x30мм; blower; 24ВDC; 18,35м3/г; 32,9дБА
Вентилятор: DC; 75x75x30мм; blower; 24ВDC; 18,35м3/г; 32,9дБА

564,50 грн

Виводи:
проводи x3
Вид вентилятора:
blower
Вид підшипника:
кульковий
Двигун вентилятора:
безщітковий DC
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 900мВт; SOT23; ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 900мВт; SOT23; ESD

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT23
Модель:
ESD
CMOS; 4МГц; SMD; 2,5x2мм; 15пФ; ±50ppm; 3,3В; -40÷85°C
CMOS; 4МГц; SMD; 2,5x2мм; 15пФ; ±50ppm; 3,3В; -40÷85°C

89,96 грн

Ємність:
15пФ
Монтаж:
SMD
Робоча напруга:
3,3В
Робоча температура:
-40...85°C
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 2; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 2; THT; 3A; 250V

18,37 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,7А; Idm: -10,8А; 1,3Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,7А; Idm: -10,8А; 1,3Вт

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -6А; Idm: -18А; 350мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -6А; Idm: -18А; 350мВт; SOT23

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -80А; Idm: -320А; 92,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -80А; Idm: -320А; 92,6Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -35А; Idm: -140А; 40,3Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -35А; Idm: -140А; 40,3Вт

27,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -26А; Idm: -104А; 20Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -26А; Idm: -104А; 20Вт

24,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
PDFN3030-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -4,5А; Idm: -18А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -4,5А; Idm: -18А; 3,1Вт; SOP8

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: P-MOSFET; -70В; -3,8А; 2,11Вт; PG-TO252-3
Транзистор: P-MOSFET; -70В; -3,8А; 2,11Вт; PG-TO252-3

18,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В