Транзистор: P-MOSFET; SGT; польовий; -100В; -1А; 1,4Вт; SOT23

Немає в наявності
Код товару: GT6K2P10IH
42,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT6K2P10IH
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 3,2нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -100В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,4Вт
Струм стока: -1А
Технологія: SGT
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Запобіжник: термічний; 18,7x18,7x39,5мм; 8А; Iмакс: 1кА; 125В,250В
Запобіжник: термічний; 18,7x18,7x39,5мм; 8А; Iмакс: 1кА; 125В,250В

169,16 грн

Максимальна напруга:
1,5кВ AC
Максимальний струм:
1кА
Номінальна напруга:
32В DC; 0,125кВ; 0,25кВ
Номінальний струм:
8А
Недоступний
Фільтр: проти перешкод; трифазний; 530ВAC; 160А; 280x140x170мм
Фільтр: проти перешкод; трифазний; 530ВAC; 160А; 280x140x170мм

0,00 грн

Вид фільтру:
трифазний
Потужність розсіювання:
32Вт
Растр монтажних отворів:
230x153,5мм
Робоча напруга:
530В AC
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC

557,53 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідна напруга 2:
-15В DC
Вихідний струм:
67мА
Вхідна напруга:
9...18В DC
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263

409,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
19,7нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD