Транзистор: P-MOSFET; SGT; польовий; -100В; -35А; 106Вт; TO220

Немає в наявності
Код товару: GT400P10T
67,16 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT400P10T
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 46нКл
Корпус: TO220
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -100В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 106Вт
Струм стока: -35А
Технологія: SGT
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 82нФ; 305В; THT; ±20%; 10мм
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 82нФ; 305В; THT; ±20%; 10мм

3,08 грн

Вид конденсатора:
X2
Допуск:
±20%
Ємність:
82нФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 1,2нФ; 100В; C0G (NP0); ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; 1,2нФ; 100В; C0G (NP0); ±10%; SMD; 1206

4,71 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±10%
Ємність:
1,2нФ
Корпус - дюйм:
1206
Реактор: дротяний; THT; 2,2мГн; ±5%; Вив: радіальні; ферит; 8мм; 13Ом
Реактор: дротяний; THT; 2,2мГн; ±5%; Вив: радіальні; ферит; 8мм; 13Ом

34,91 грн

Виводи:
радіальні
Високосортність:
90
Діаметр:
8мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,7пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,7пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,16 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,7пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201

0,09 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 560пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 560пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201

0,10 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 16пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 16пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201

0,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -40А; 200Вт; TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -40А; 200Вт; TO220AB

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -7,5А; 150Вт; TO247AC
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -7,5А; 150Вт; TO247AC

159,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -175мА; Idm: -1А; 740мВт; TO92
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -175мА; Idm: -1А; 740мВт; TO92

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO220-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO220-3

198,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -21,2А; 62Вт; TO220FP
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -21,2А; 62Вт; TO220FP

183,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -50В; -140А; 298Вт; 53нс
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -50В; -140А; 298Вт; 53нс

544,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
200нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; 55нс
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; 55нс

459,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO247-3