Транзистор: P-MOSFET; SGT; польовий; -100В; -35А; 106Вт; TO252

Немає в наявності
Код товару: GT400P10K
57,65 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT400P10K
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 41нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -100В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 106Вт
Струм стока: -35А
Технологія: SGT
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 68кОм; SMD; 2010; 0,75Вт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 68кОм; SMD; 2010; 0,75Вт; ±1%; CQ; 200В

3,12 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Connector: wire-board; male; data; POWER; 4.2A,7.5A; 250V; PIN: 12
Connector: wire-board; male; data; POWER; 4.2A,7.5A; 250V; PIN: 12

33,71 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
12
Резистор: thick film; 39Ом; 3,1x2,6x0,55мм
Резистор: thick film; 39Ом; 3,1x2,6x0,55мм

3,62 грн

Опір:
39Ом
Розміри корпусу:
3,1x2,6x0,55мм
Тип резистора:
thick film
Недоступний
Транзистор: NPN / PNP; біполярний; додаткова пара; 12В; 0,5А
Транзистор: NPN / PNP; біполярний; додаткова пара; 12В; 0,5А

4,94 грн

Вид транзистора:
додаткова пара
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT666
Монтаж:
SMD
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; екранований,кутовий; вилка; 30В
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; екранований,кутовий; вилка; 30В

3669,54 грн

Довжина проводу:
5м
Ізоляційний матеріал проводу:
TPU
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Резистор: thin film; 34кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3ARB
Резистор: thin film; 34кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3ARB

11,78 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 562Ом; 1218; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 562Ом; 1218; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷155°C

13,43 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1218
Корпус - мм:
3246
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт

111,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,2А; 2,1Вт; PQFN3.3X3.3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,2А; 2,1Вт; PQFN3.3X3.3

20,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
PQFN3.3X3.3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
75нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD