Транзистор: P-MOSFET; SGT; польовий; -150В; -11А; 58Вт; TO252

Немає в наявності
Код товару: GT2K6P15K
46,88 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT2K6P15K
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 36нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -150В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 58Вт
Струм стока: -11А
Технологія: SGT
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 2,5В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 2,5В

24,52 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
2,5В
Вихідний струм:
0,3А
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 2,75В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 2,75В

60,82 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
2,75В
Вихідний струм:
10мА
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 16; ARCHER; 1A; THT
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 16; ARCHER; 1A; THT

90,60 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
THT
Резистор: thick film; 49,9Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; AC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 49,9Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; AC; -55÷155°C

2,90 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2,6А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2,6А; 0,5Вт; SuperSOT-3

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
17нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -14А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -14А; 3,8Вт; D2PAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,26А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,26А; 1,8Вт; PG-SOT223

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO263-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO263-3

235,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4А; 1Вт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5,3А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5,3А; 2Вт; SO8

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -10А; 25Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -10А; 25Вт; TO252

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,4нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD