1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; SGT; польовий; -150В; -2А; 1,8Вт; SOP8

Транзистор: P-MOSFET; SGT; польовий; -150В; -2А; 1,8Вт; SOP8
Немає в наявності
Код товару: GT2K6P15S
48,78 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT2K6P15S
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 36нКл
Корпус: SOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -150В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,8Вт
Струм стока: -2А
Технологія: SGT
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 30кОм; SMD; 0603; 0,2Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 30кОм; SMD; 0603; 0,2Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,24 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
IC: пам'ять FRAM; 8МбFRAM; SPI; 1024Кx8бит; 1,8÷3,6ВDC; 20МГц
IC: пам'ять FRAM; 8МбFRAM; SPI; 1024Кx8бит; 1,8÷3,6ВDC; 20МГц

0,00 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
GQFN8
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,3нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,3нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

2,72 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт

30,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -60А; 132Вт

89,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-40В
Опір в стані провідності:
4,7мОм
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; 1Вт; TSMT3

13,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -2,5А; TUMT6

15,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TUMT6
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-30В
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD