Транзистор: P-MOSFET; SGT; польовий; -200В; -18А; 138Вт; TO252

Немає в наявності
Код товару: GT2K0P20K
45,62 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT2K0P20K
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 70нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -200В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 138Вт
Струм стока: -18А
Технологія: SGT
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 11пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 11пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201

0,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Знімач для підшипників; двостулковий; Різьба: M14; W: 130мм
Знімач для підшипників; двостулковий; Різьба: M14; W: 130мм

4007,86 грн

Глибина:
100мм
Здатн. навантаження:
max. 3000кг
Модель:
двостулковий
Різьба:
M14
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,нерегульований; 0,15÷0,3А; MSOP8
IC: стабілізатор напруги; LDO,нерегульований; 0,15÷0,3А; MSOP8

58,29 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; нерегульований
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
1,8В DC; 2,5В DC
Вихідний струм:
0,15...0,3А
Недоступний
Резистор: thick film; 910Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 910Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CQ; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: metal film; 6,19кОм; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V
Резистор: metal film; 6,19кОм; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V

38,01 грн

Виводи:
осьові
Вид резистора:
прецизійний
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; D2PAK; SMD; 35В; 7,5Аx2; ролик,cтрічка
Діод: випрямний Шотткі; D2PAK; SMD; 35В; 7,5Аx2; ролик,cтрічка

38,65 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Ємність:
0,4нФ
Зворотна напруга макс.:
35В
Корпус:
D2PAK
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 14; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 14; SMT; straight

41,81 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
12,5мм
Електричний монтаж:
SMT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; 0,225Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -6,5А; Idm: -50А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -6,5А; Idm: -50А

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,39А; 0,25Вт; PG-SOT-363
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,39А; 0,25Вт; PG-SOT-363

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,63А; 0,3Вт; PG-SOT-323
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,63А; 0,3Вт; PG-SOT-323

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-323
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 900мВт; SOT23; ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 900мВт; SOT23; ESD

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT23
Модель:
ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; 1,3Вт; TSOP6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; 1,3Вт; TSOP6

19,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -12А; 25Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -12А; 25Вт; TO252

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16,2нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD