Транзистор: P-MOSFET; SGT; польовий; -200В; -19А; 138Вт; TO220

Немає в наявності
Код товару: GT2K0P20T
52,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT2K0P20T
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 70нКл
Корпус: TO220
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -200В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 138Вт
Струм стока: -19А
Технологія: SGT
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 120кГц; Ch: 2; 1,5÷5,5ВDC; SO8; 2мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 120кГц; Ch: 2; 1,5÷5,5ВDC; SO8; 2мВ

72,86 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; універсальний
Вхідна напруга зміщення нуля:
2мВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,1нА
Недоступний
Резистор: thick film; 48,7кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В
Резистор: thick film; 48,7кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В

7,29 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; ECQUA; 0,15мкФ; 275ВAC; THT
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; ECQUA; 0,15мкФ; 275ВAC; THT

98,83 грн

Вид конденсатора:
X2
Допуск:
±10%
Ємність:
0,15мкФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 105кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В
Резистор: thick film; 105кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В

0,73 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 91мОм; SMD; 1206; 1Вт; ±1%; ERJ8BWF; -55÷155°C
Резистор: thick film; 91мОм; SMD; 1206; 1Вт; ±1%; ERJ8BWF; -55÷155°C

10,52 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 324Ом; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 324Ом; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 56; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 56; SMT; 3A; 250V

395,34 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Довжина контакту:
5,5мм
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -40А; 200Вт; TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -40А; 200Вт; TO220AB

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -7,5А; 150Вт; TO247AC
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -7,5А; 150Вт; TO247AC

159,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -175мА; Idm: -1А; 740мВт; TO92
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -175мА; Idm: -1А; 740мВт; TO92

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO220-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -80А; 340Вт; PG-TO220-3

198,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -21,2А; 62Вт; TO220FP
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -21,2А; 62Вт; TO220FP

183,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -50В; -140А; 298Вт; 53нс
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -50В; -140А; 298Вт; 53нс

544,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
200нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; 55нс
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; 55нс

459,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO247-3