Транзистор: P-MOSFET; SGT; польовий; -60В; -103А; 178Вт; DFN5x6-8

Немає в наявності
Код товару: GT065P06D5
66,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT065P06D5
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 99нКл
Корпус: DFN5x6-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 178Вт
Струм стока: -103А
Технологія: SGT
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: Darlington; 2,5кВ; CTR@If: 500-2600%@1,6mA
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: Darlington; 2,5кВ; CTR@If: 500-2600%@1,6mA

33,58 грн

CTR@If:
500-2600%@1,6mA
Вид виходу:
Darlington
Кількість каналів:
1
Корпус:
SO8
Connector: wire-board; male; data; Inom: 5A; 250V; PIN: 6; shrouded
Connector: wire-board; male; data; Inom: 5A; 250V; PIN: 6; shrouded

165,99 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT; паяння
Кількість пін:
6
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 12; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 12; THT; straight

39,28 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
40,8мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 6,2Ом; SMD; 0402; 250мВт; ±5%; ERJPA2J
Резистор: thick film; 6,2Ом; SMD; 0402; 250мВт; ±5%; ERJPA2J

0,80 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 270Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 270Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C

0,56 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Монтаж:
SMD
Недоступний
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 55В; DIP4
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 55В; DIP4

27,24 грн

Вид виходу:
транзисторний
Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
6В
Кількість каналів:
1
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,46 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5пФ
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-DSO-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; 0,36Вт; SOT23

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,3нКл
Корпус:
SOT23