1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P THT

Транзистор: P-MOSFET; SGT; польовий; -80В; -25А; 125Вт; TO220

Транзистор: P-MOSFET; SGT; польовий; -80В; -25А; 125Вт; TO220
Немає в наявності
Код товару: GT700P08T
39,91 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT700P08T
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 75нКл
Корпус: TO220
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -80В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: -25А
Технологія: SGT
Тип транзистора: P-MOSFET
IC: цифровий; буфер,неінвертуючий,контролер лінії; Ch: 1; CMOS
IC: цифровий; буфер,неінвертуючий,контролер лінії; Ch: 1; CMOS

49,42 грн

Вид виходу:
відкритий дренаж
Вид об'єднаної схеми:
буфер; контролер лінії; неінвертуючий
Вид упаковки:
cтрічка; котушка
Кількість каналів:
1
Недоступний
Резистор: thin film; 150кОм; 1206; 250мВт; ±0,1%; ARM-A; 10ppm/°C
Резистор: thin film; 150кОм; 1206; 250мВт; ±0,1%; ARM-A; 10ppm/°C

6,78 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
150кОм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 40; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 40; SMT; 3A; 250V

332,62 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина контакту:
10,8мм
Планка штирова; штекерний; PIN: 10; прямий; 1А; 1,27мм; UL94V-0
Планка штирова; штекерний; PIN: 10; прямий; 1А; 1,27мм; UL94V-0

82,36 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Висота після з'єднання:
6,42мм
Кількість пін:
10
Клас горючості:
UL94V-0
Двигун: лінійний сервомотор; 12ВDC; 10А; 5: 1; Iробочий: 500мА; IP65
Двигун: лінійний сервомотор; 12ВDC; 10А; 5: 1; Iробочий: 500мА; IP65

13298,93 грн

Iнформація:
виріб не є готовим приладом, а лише компонентом
Довжина висування:
100,16мм
Додаткові функції:
зворотний зв'язок (потенціометр)
Клас герметичності:
IP65
Діод: випрямний; SMD; 200В; 2А; 50нс; SMB; Ufmax: 1В; Ifsm: 50А
Діод: випрямний; SMD; 200В; 2А; 50нс; SMB; Ufmax: 1В; Ifsm: 50А

15,84 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
200В
Корпус:
SMB
Недоступний
Резистор: thin film; 549кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8PPB
Резистор: thin film; 549кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8PPB

49,42 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -100В; -76А; 298Вт; 70нс
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -100В; -76А; 298Вт; 70нс

465,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
197нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -200В; -32А; 300Вт; 190нс
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -200В; -32А; 300Вт; 190нс

551,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
185нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -500В; -13А; 190Вт; 406нс
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -500В; -13А; 190Вт; 406нс

448,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
103нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -13А; Idm: -72А; 150Вт; TO220
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -13А; Idm: -72А; 150Вт; TO220

563,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,7А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,7А; 35Вт; TO220FP

145,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
29нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -650мА; Idm: -4А; 740мВт; TO92
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -650мА; Idm: -4А; 740мВт; TO92

87,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -100В; -195А; 390Вт
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -100В; -195А; 390Вт

1494,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
740нКл
Корпус:
ISOPLUS247™