1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; ThunderFET; польовий; -150В; -12,9А; 42,1Вт

Транзистор: P-MOSFET; ThunderFET; польовий; -150В; -12,9А; 42,1Вт
Немає в наявності
Код товару: SISS73DN-T1-GE3
105,80 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SISS73DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 22нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -150В
Опір в стані провідності: 0,125Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 42,1Вт
Струм стока: -12,9А
Струм стоку в імпульсі: -30А
Технологія: ThunderFET; TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Діод: TVS; 0,6кВт; 6,7В; 290А; односпрямована; SOD128F; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 6,7В; 290А; односпрямована; SOD128F; Ch: 1

4,50 грн

Зворотна напруга макс.:
6В
Кількість каналів:
1
Корпус:
SOD128F
Монтаж:
SMD
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 3; штекерний,гніздовий; вилка; SAI
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 3; штекерний,гніздовий; вилка; SAI

773,57 грн

Довжина проводу:
2м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP65; IP67
Конденсатор: керамічний; 10нФ; 100В; BP; ±10%; SMD; 2225
Конденсатор: керамічний; 10нФ; 100В; BP; ±10%; SMD; 2225

204,64 грн

Діелектрик:
BP
Допуск:
±10%
Ємність:
10нФ
Корпус - дюйм:
2225
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-DSO-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; 0,36Вт; SOT23

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,3нКл
Корпус:
SOT23