Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -100В; -12А; 44,6Вт; TO220

Немає в наявності
Код товару: G12P10TE
44,98 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G12P10TE
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 33нКл
Корпус: TO220
Модель: ESD
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -100В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 44,6Вт
Струм стока: -12А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 1мкФ; 50ВDC; SMD; C; 2312; ±20%; -55÷125°C
Конденсатор: танталовий; 1мкФ; 50ВDC; SMD; C; 2312; ±20%; -55÷125°C

29,90 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±20%
Ємність:
1мкФ
Корпус:
C
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0402

0,20 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,5пФ; 200В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,5пФ; 200В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0402

5,89 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
2,5пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,5пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,5пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

4,12 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,5пФ
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; SOD323; SMD; 30В; 1А; ролик,cтрічка
Діод: випрямний Шотткі; SOD323; SMD; 30В; 1А; ролик,cтрічка

13,05 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
30В
Корпус:
SOD323
Монтаж:
SMD
Резистор: thick film; 56Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 56Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 500В; -55÷155°C

13,30 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -14А; 79Вт; TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -14А; 79Вт; TO220AB

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38,7нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,23А; Idm: -3А; 0,7Вт; TO92
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,23А; Idm: -3А; 0,7Вт; TO92

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -250мА; Idm: -0,8А; 1Вт; TO92
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -250мА; Idm: -0,8А; 1Вт; TO92

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -27А; 16Вт; TO220F
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -27А; 16Вт; TO220F

57,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
18,6нКл
Корпус:
TO220F
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -3,6А; 42Вт; IPAK,TO251
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -3,6А; 42Вт; IPAK,TO251

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
IPAK; TO251
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -50В; -140А; 298Вт; 53нс
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -50В; -140А; 298Вт; 53нс

513,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
200нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -200В; -26А; 300Вт; TO3P
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -200В; -26А; 300Вт; TO3P

384,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
TO3P