Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -12В; -2,1А; Idm: -13А; ESD

Немає в наявності
Код товару: PMXB65UPEZ
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5000
Крок додавання: 5000
Код товару: PMXB65UPEZ
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 12нКл
Корпус: DFN1010D-3; SOT1215
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -12В
Опір в стані провідності: 98мОм
Поляризація: польовий
Струм стока: -2,1А
Струм стоку в імпульсі: -13А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Фільтр: проти перешкод; 250ВAC; Cx: 100нФ; Cy: 3,3нФ; 1,8мГн
Фільтр: проти перешкод; 250ВAC; Cx: 100нФ; Cy: 3,3нФ; 1,8мГн

251,52 грн

Виводи:
до лютування
Діаметр монтажного отвору:
3,7мм
Ємність Cx:
0,1мкФ
Ємність Cy:
3,3нФ
Недоступний
IC: компаратор; Cmp: 1; 1,6÷6,5В; SMT; SC70-5; OUT: open drain; 5пА
IC: компаратор; Cmp: 1; 1,6÷6,5В; SMT; SC70-5; OUT: open drain; 5пА

15,21 грн

Вид виходу:
open drain
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідний поляризаційний струм:
5пА
Кількість компараторів:
1
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 220мкФ; 35ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 220мкФ; 35ВDC; ±20%

29,14 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Вид упаковки:
Ammo Pack
Висота:
16мм
Властивості конденсаторів:
висока надійність; компактні розміри корпусу
Конденсатор: керамічний; 2,2пФ; 50ВDC; C0G (NP0); SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; 2,2пФ; 50ВDC; C0G (NP0); SMD; 0402

0,87 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,2пФ
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 144МГц; LQFP64; 2,7÷3,6ВDC; Cmp: 1
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 144МГц; LQFP64; 2,7÷3,6ВDC; Cmp: 1

66,52 грн

Вид архітектури:
Cortex M33
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); DMA; PWM
Інтерфейс:
I2C x2; I2S x3; I3C; LPUART; SPI x3; UART x2; USART x3; USB
Кількість входів/виходів:
52
Недоступний
Резистор: thick film; 33мОм; SMD; 0603; 330мВт; ±1%; ERJ3BWF
Резистор: thick film; 33мОм; SMD; 0603; 330мВт; ±1%; ERJ3BWF

6,40 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Реактор: дротяний; SMD; 1212; 3,3мкГн; ±30%; 1,2А; Вим: 3x3x1,5мм
Реактор: дротяний; SMD; 1212; 3,3мкГн; ±30%; 1,2А; Вим: 3x3x1,5мм

11,85 грн

Висота:
1,5мм
Допуск:
±30%
Індуктивність:
3,3мкГн
Корпус - дюйм:
1212
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -195А; 294Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -195А; 294Вт; TO263

96,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
186нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт; DFN6
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт; DFN6

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DFN6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -3,2А
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -3,2А

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Напруга сток-джерело:
-20В
Опір в стані провідності:
93мОм
Струм стока:
-3,2А
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -1,5А; 500мВт; SOT23-3
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -1,5А; 500мВт; SOT23-3

8,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; -4,4А
Транзистор: P-MOSFET; -4,4А

16,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Струм стока:
-4,4А
Тип транзистора:
P-MOSFET
Транзистор: P-MOSFET; -6А; SOT23F
Транзистор: P-MOSFET; -6А; SOT23F

6,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23F
Монтаж:
SMD
Струм стока:
-6А
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44нКл
Корпус:
D2PAK; TO263