1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -12В; -4А; 1,8Вт; SOT23; ESD

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -12В; -4А; 1,8Вт; SOT23; ESD
Немає в наявності
Код товару: G06P01E
41,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G06P01E
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 14нКл
Корпус: SOT23
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±10В
Напруга сток-джерело: -12В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,8Вт
Струм стока: -4А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Цифровий манометр; Діап.вимірюв.тиску: 0÷10бар; LCD 2,5"; ±0,25%
Цифровий манометр; Діап.вимірюв.тиску: 0÷10бар; LCD 2,5"; ±0,25%

17739,50 грн

Батарея/акумулятор:
батарея AAA 1,5В x3
Вид вжитого дисплея:
LCD 2,5"
Вимір:
тиску води; тиску газів
Властивості вимірювальних приладів:
функція МІН/МАКС
Перетворювач: DC/DC; 20Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвх: 916мА
Перетворювач: DC/DC; 20Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвх: 916мА

724,79 грн

Використання:
енергетика; промисловість; телекомунікація
Вихідна напруга:
24В DC
Вихідний струм:
0,833А
Вхідна напруга:
9...36В DC
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPDT; Iконтактів max: 5А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPDT; Iконтактів max: 5А

182,46 грн

Виводи:
конектори
Зовнішні розміри:
35,2x27,2x21,5мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Макс. струм контактів:
5А
Недоступний
Резистор: thick film; 26,7Ом; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 26,7Ом; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

1,28 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1020
Корпус - мм:
2550
Монтаж:
SMD
Недоступний
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 63А; Полюси: 3+N
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 63А; Полюси: 3+N

3662,57 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898; IEC EN 60947-2
Кількість полюсів:
3+N
Клас герметичності:
IP20
Недоступний
Роз’єм: круглі; вилка; PIN: 4; штекерний; промислова; для проводу
Роз’єм: круглі; вилка; PIN: 4; штекерний; промислова; для проводу

471,36 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Зовнішній діаметр проводу:
6,5...7мм
Кількість пін:
4
Недоступний
Connector: pin strips; data; PIN: 30; THT; 3A; vertical; 2.54mm
Connector: pin strips; data; PIN: 30; THT; 3A; vertical; 2.54mm

280,66 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
30
Клас горючості:
UL94V-0
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -5А; 2Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -5А; 2Вт; SOP8

25,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -230мА; 1Вт
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -230мА; 1Вт

13,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -13А; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -13А; SOP8

48,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2А; 1,5Вт
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2А; 1,5Вт

15,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Напруга сток-джерело:
-20В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -40А; 75Вт; DFN8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -40А; 75Вт; DFN8

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -100мА; 100мВт; DFN1006-3
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -100мА; 100мВт; DFN1006-3

2,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DFN1006-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±10В
Транзистор: P-MOSFET; -100В; -21А; 62Вт
Транзистор: P-MOSFET; -100В; -21А; 62Вт

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Напруга сток-джерело:
-100В