1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -12В; -5,2А; Idm: -33А; ESD

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -12В; -5,2А; Idm: -33А; ESD
Немає в наявності
Код товару: PMPB15XPH
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: PMPB15XPH
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 0,1мкКл
Корпус: DFN2020MD-6; SOT1220
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -12В
Опір в стані провідності: 25мОм
Поляризація: польовий
Струм стока: -5,2А
Струм стоку в імпульсі: -33А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 300кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 300кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; 100ppm/°C

0,72 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
300кОм
Недоступний
IC: мікроконтролер dsPIC; 12кБ; 1кБSRAM; SO28-W; 3÷3,6ВDC; DSPIC
IC: мікроконтролер dsPIC; 12кБ; 1кБSRAM; SO28-W; 3÷3,6ВDC; DSPIC

216,68 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); motor controller; PoR; watchdog
Генератор вбудований:
32,768кГц; 7,37МГц
Недоступний
Діод: TVS; 6,6кВт; 22,2÷24,5В; 204А; односпрямована; DO218AB
Діод: TVS; 6,6кВт; 22,2÷24,5В; 204А; односпрямована; DO218AB

81,09 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
20В
Корпус:
DO218AB
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 7,5кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 7,5кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Connector: wire-board; socket; male; data; Universal MATE-N-LOK
Connector: wire-board; socket; male; data; Universal MATE-N-LOK

105,80 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
12
Недоступний
З'єднувальний кабель; 3м; Стандарт: Omron; power; 1S
З'єднувальний кабель; 3м; Стандарт: Omron; power; 1S

11683,36 грн

Вид кабелю:
POWER
Довжина проводу:
3м
Застосування - серія/виробник:
1S
Стандарт:
Omron
Недоступний
Резистор: thick film; 158Ом; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 158Ом; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,74 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0612
Корпус - мм:
1632
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,12А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,12А; 0,36Вт; SOT23

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
3нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -400В; -125мА; Idm: -1,2А; 1,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -400В; -125мА; Idm: -1,2А; 1,6Вт

91,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -100А; 125Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -100А; 125Вт; PG-TDSON-8

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,9А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,9А; 1,8Вт; PG-SOT223

95,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -39,6А; 40Вт; PG-TSDSON-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -39,6А; 40Вт; PG-TSDSON-8

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSDSON-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 900мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 900мВт; SOT23

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD