Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -12В; -5,2А; Idm: -33А; ESD

Немає в наявності
Код товару: PMPB15XPH
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: PMPB15XPH
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 0,1мкКл
Корпус: DFN2020MD-6; SOT1220
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -12В
Опір в стані провідності: 25мОм
Поляризація: польовий
Струм стока: -5,2А
Струм стоку в імпульсі: -33А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 300кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 300кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; 100ppm/°C

0,72 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
300кОм
Транзистор: IGBT; Field Stop; 650В; 111А; 319Вт; Eвикл: 1,15мДж
Транзистор: IGBT; Field Stop; 650В; 111А; 319Вт; Eвикл: 1,15мДж

232,51 грн

Енергія виключення:
1,15мДж
Енергія включення:
2,08мДж
Заряд затвора:
123нКл
Монтаж:
THT
Connector: wire-board; terminal; female; data; 6.6A; 300V; PIN: 12
Connector: wire-board; terminal; female; data; 6.6A; 300V; PIN: 12

42,26 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання; паяння
Кількість пін:
12
Недоступний
Конденсатор: полімерний; 150мкФ; 16ВDC; THT; ±20%; Ø5x9мм; SEPG
Конденсатор: полімерний; 150мкФ; 16ВDC; THT; ±20%; Ø5x9мм; SEPG

43,72 грн

Висота:
9мм
Діаметр:
5мм
Допуск:
±20%
Ємність:
150мкФ
Недоступний
Резистор: thin film; 180Ом; THT; 500мВт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 180Ом; THT; 500мВт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові

41,81 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,5%
Недоступний
Діод: TVS; 0,5кВт; 26,7В; 10,3А; двоспрямована; DO214AC,SMA; Ch: 1
Діод: TVS; 0,5кВт; 26,7В; 10,3А; двоспрямована; DO214AC,SMA; Ch: 1

8,81 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
24В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AC; SMA
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; THT; 3A; 250V

117,84 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
21мм
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
9нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА

36,75 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
30В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
MicroFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -11А; 2,4Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -11А; 2,4Вт; SO8

86,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -19,1А; 120Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -19,1А; 120Вт; D2PAK

146,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
D2PAK