1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -11А; 3,3Вт; SOP8

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -11А; 3,3Вт; SOP8
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: G11S
39,91 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G11S
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 47нКл
Корпус: SOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,3Вт
Струм стока: -11А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Конденсатор: керамічний; 56пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; 56пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603

8,68 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Ємність:
56пФ
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47мкФ; 10ВDC; X7R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47мкФ; 10ВDC; X7R; ±10%; SMD; 1210

30,41 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
47мкФ
Недоступний
Тиристор: таблетковий; 3,6кВ; Ifмакс: 4,2кА; 2,18кА; Igt: 300мА
Тиристор: таблетковий; 3,6кВ; Ifмакс: 4,2кА; 2,18кА; Igt: 300мА

60821,16 грн

Вид упаковки:
лоток
Зворотна напруга макс.:
3,6кВ
Корпус:
DO200AE
Монтаж:
Press-Pack
Недоступний
Резистор: thick film; 9,31кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 9,31кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Роз’єм: провід-плата; гніздовий; PIN: 6; AMPMODU; Iном: 3А; прямий
Роз’єм: провід-плата; гніздовий; PIN: 6; AMPMODU; Iном: 3А; прямий

0,00 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
6
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,2пФ
Корпус - дюйм:
0201
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603

0,12 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
10нФ
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,1А; Idm: -12А; 1,2Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,1А; Idm: -12А; 1,2Вт

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,18А; Idm: -0,7А; 0,25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,18А; Idm: -0,7А; 0,25Вт

7,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -500мА; Idm: -1А; 500мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -500мА; Idm: -1А; 500мВт

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,3А; Idm: -9,2А; 700мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,3А; Idm: -9,2А; 700мВт

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,2нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,1А; Idm: -13А; 1,2Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,1А; Idm: -13А; 1,2Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9,3нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -2А; Idm: -8А; 2,2Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -2А; Idm: -8А; 2,2Вт; SOT23

29,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -120А; Idm: -480А; 183,8Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -120А; Idm: -480А; 183,8Вт

58,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
84нКл
Корпус:
TO263