Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -16А; 18Вт; DFN2x2-6

Немає в наявності
Код товару: G170P02D2
42,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G170P02D2
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 30нКл
Корпус: DFN2x2-6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -20В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 18Вт
Струм стока: -16А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Tap: metric; M1; right hand thread; 0.25; L: 40mm; 2.1mm; 6H; Silver
Tap: metric; M1; right hand thread; 0.25; L: 40mm; 2.1mm; 6H; Silver

2518,38 грн

Type of tap:
метрична
Вид різьблення:
права
Вид рукоятки:
квадрат; машина
Використання інструментів:
для некрізних отворів
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 24; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 24; SMT; 3A; 250V

204,00 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 25ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 25ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0402

0,32 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
22нФ
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт; DFN6
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -12А; 23Вт; DFN6

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DFN6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -3,2А
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -3,2А

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Напруга сток-джерело:
-20В
Опір в стані провідності:
93мОм
Струм стока:
-3,2А
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -1,5А; 500мВт; SOT23-3
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -1,5А; 500мВт; SOT23-3

8,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; -4,4А
Транзистор: P-MOSFET; -4,4А

16,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Струм стока:
-4,4А
Тип транзистора:
P-MOSFET
Транзистор: P-MOSFET; -6А; SOT23F
Транзистор: P-MOSFET; -6А; SOT23F

6,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23F
Монтаж:
SMD
Струм стока:
-6А
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD